화합물 반도체와 실리콘의 합성 기술이 25나노 이하 초미세 반도체를 구현할 수 있는지를 두고 관심이 쏠리고 있다.
화합물 반도체와 실리콘의 합성 기술은 몇 년 전까지만 해도 국내에서도 연구가 진행 중이었지만, 불가능하다는 의견이 모아지면서 국내 학계에서는 연구가 중단된 상태다.
그러나, 최근 삼성전자의 김기남 전무는 “반도체 미세 공정이 35나노까지는 무리없이 진행되겠지만, 그 이하는 간섭현상의 심각성이 기하 급수적으로 증가할 것이며 전력 소모도 엄청나게 늘어날 것”이라며 “이를 해결하기 위해 다시 국내 학계에서 화합물 반도체와 실리콘을 합성할 수 있는 기술에 대한 연구도 필요하다”라고 말해 관심이 집중됐다.
김 전무는 “25나노 반도체를 구현하기 위해서는 3차원으로 적층하는 방식이 유력한데, 25나노 이하 공정에서는 금속 배선선이 아닌 광신호로 이 적층 구조를 연결해 데이터를 주고 받아야 한다는 의견도 나오는 상황”이라며 “광신호로 데이터를 주고 받기 위해서는 실리콘 위에 실리콘과 완전히 다른 반도체라고 할 수 있는 화합물 반도체를 합성해야만 한다”고 덧붙였다.
이에 대해 학계에서는 의외의 반응이다. 서울대 박영준 교수는 “학계에서는 안될 것이라고 생각하고 포기한 방법”이라며 “화합물 반도체와 실리콘의 합성기술은 근원적으로 전혀 합칠 수 없는 것을 합치는 것과 같은 기술이라고 생각해 왔다”고 말했다.
산업체에서 먼저 연구를 제안해 온 만큼 검토해 봐야 한다는 의견도 나타났다. 국내 대표적인 반도체 전문가로 꼽히는 김용태 박사는 “국내에서는 포기했지만, 일본에서는 꾸준히 연구를 진행해 오고 있는 기술”이라며 “이번 제안을 계기로 학계에서는 다시 움직임이 나타날 것으로 보인다”고 말했다. 또, 그는 “이 기술과 함께 하나의 전자(일렉트론)를 하나씩 컨트롤하는 양자 반도체나 탄소나노튜브를 이용한 신소재를 적용한 반도체 개발도 활기를 띨 것”이라고 덧붙였다.
문보경기자@전자신문, okmun@