하이닉스반도체(대표 우의제 http://www.hynix.co.kr)는 60나노급 1Gb DDR2 D램을 사용한 세계 최고속 800㎒급 메모리 모듈을 세계 처음 개발, 내년 상반기 양산에 돌입한다고 17일 밝혔다.
이번 개발한 1Gb DDR2 모듈은 업계 최고속인 800㎒와 667㎒의 작동속도를 구현할 수 있는 제품 두 종이다. 이 제품은 내년상반기 양산될 예정으로 대용량 PC용 D램·그래픽D램·모바일D램 등에 확대 적용될 수 있다.
특히 이들 모듈은 현재까지 인증을 받은 제품 중 가장 미세한 공정인 60나노급 공정 기술이 적용된 제품으로 기존 80나노에 비해 생산성을 50%나 높일 수 있어 원가 경쟁력을 크게 향상시킬 전망이다.
모듈개발에 사용된 1Gb DDR D램에는 ‘3차원 입체 트랜지스터’와 ‘3층 금속 배선 기술’이 이용돼 저장능력과 속도를 월등이 높인 것도 주요 특징이다. ‘3차원 입체 트랜지스터’는 트랜지스터의 동작을 더욱 안정적으로 만들기 위해 입체적으로 설계함으로써 누설 전류를 줄여 데이터 저장능력을 향상시키는 기술이다. ‘3층 금속 배선 기술’은 칩의 금속 배선 층을 기존보다 한 층 더 늘려 3층으로 만들어 속도를 향상시키는 것이다.
이 회사 홍성주 상무는 “첨단 기술들을 통해 회로가 극미세화 되더라도 안정적으로 작동할 수 있어, 공정 축소에 따른 제품의 신뢰성 획득 어려움을 해결했다”고 밝혔다.
심규호기자@전자신문, khsim@