삼성전자가 세계 최초로 80나노 기술을 적용한 1기가비트(Gb) 모바일 DDR D램을 개발, PC용 D램에 이어 모바일 D램에서도 기가급 D램 시대를 열었다.
삼성전자(대표 윤종용)는 512메가비트(Mb) D램을 2개 적층한 기존 제품에 비해 두께가 얇고 전력 소모가 적은, 1Gb 단일칩 모바일 D램을 개발, 새해 2분기부터 양산할 계획이라고 27일 밝혔다.
지금까지 1Gb급 모바일 D램 제품은 일반적으로 256Mb나 512Mb를 적층해 구현했으나, 두께가 두껍고 전력소모가 커 휴대폰 채택에 어려움을 겪어 왔다.
모바일 D램은 휴대폰의 메인 메모리로 사용되는 반도체로 동영상·음악파일 등 고용량이 필요한 다기능 휴대폰에 주로 쓰인다. D램은 휘발성 메모리이기 때문에 데이터를 읽고 쓰는 구동 시뿐만 아니라 전원이 켜져 있는 상태에서 데이터를 유지하는 대기 시에도 전력이 소모된다.
이번 삼성전자가 개발한 80나노 1Gb 모바일 D램은 온도에 따라 D램의 데이터 유지를 위한 리프레시 주기를 최적화함으로써 기존의 512Mb D램을 2개 적층한 제품과 비교해 대기 상태의 전력 소모를 30% 감소시킬 수 있다.
또 데이터를 읽고 쓸 때에도 기존 제품 대비 전류량을 30% 이상 감소시킬 수 있어 점차 다기능·고성능화되고 있는 모바일 기기에서 주요 기술 요인으로 부각되고 있는 저전력 소자 요구에 효과적으로 대응할 수 있다.
크기 측면에서도 기존 제품 대비 20% 이상 얇은 박막형 솔루션 제공이 가능해 휴대폰용 초소형 메모리 시장에서도 유리한 고지를 차지하게 됐다.
삼성전자는 지난 2004년 5월 256Mb, 2005년 1월에 512Mb 모바일 D램을 개발한 데 이어 이번에 80나노 1Gb 모바일 D램을 개발하는 등 매년 집적도를 2배씩 높이면서 모바일 D램의 대용량화를 선도하고 있다.
이 회사의 세계 모바일 D램 시장 점유율은 약 50%로, 기가급 모바일 D램 시장 선점을 통해 점유율을 한층 높여 나간다는 계획이다.
심규호기자@전자신문, khsim@