50나노 공정이 적용된 낸드플래시메모리가 올 1분기 중에 시장에 나온다. 반도체 양산에 50나노 공정이 적용되는 것은 올해가 처음이다.
삼성전자(대표 윤종용)는 50나노 공정을 적용한 16기가 멀티레벨셀(MLC·한 셀에 2개의 데이터를 저장) 낸드플래시를 양산용 제품으로 샘플 제작해 국내외 휴대폰 및 모바일기기업체에 공급을 시작했으며, 1분기 중에 본격 양산에 착수한다고 3일 밝혔다.
양산에 들어가는 50나노 16기가 낸드플래시는 2킬로바이트(KB) 단위로 구동하는 기존 제품과 달리, 4KB 단위로 작동함에 따라 기존 제품 대비 쓰기 속도를 2배, 읽기 속도는 1.5배 수준으로 향상된 것이 특징이다. 이 제품을 활용하면 최대 32기가 바이트(Gb)의 메모리 카드를 제작할 수 있고, 이 경우 DVD급 화질의 동영상 약 32시간(영화 20편)·MP3 파일 기준(4MB) 약 8000곡·신문 200년 분량의 저장이 가능하다.
이번 양산에 들어가는 50나노 16기가 낸드플래시는 삼성전자가 지난 2005년 개발한 것이며, 지난해에는 이보다 한세대 앞선 40나노 32기가 제품도 개발해 놓은 상태다. 황창규 삼성전자 반도체총괄사장은 2005년 50나노 16기가 낸드플래시 개발 사실을 공식 발표하면서, ‘플래시메모리는 가까운 미래에 휴대가 가능한 모든 모바일 저장 매체를 궁극적으로 대체하게 될 것이며, 앞으로 살아가는 데 없어서는 안될 생활 필수품으로 인식될 것이라는 의미의 ‘플래시러시 (Flash Rush) 현상’을 공언한 바 있다. 이 때문에 삼성전자는 16기가 플래시메모리를 ‘플래시러시 개막’의 상징적인 제품으로 꼽고 있다.
심규호기자@전자신문, khsim@