국내 연구팀이 세계 최초로 나노소자를 획기적으로 제조할 수 있는 나노 와이어(Nano Wire) 신성장 기술을 개발하는 데 성공했다.
광주과학기술원(GIST·원장 허성관) 정보통신공학과 송종인 교수(48)팀은 저가의 실리콘 기판 위에 균일한 크기의 화합물 반도체인 갈륨비소(GaAs) 나노 와이어를 성장시키는 기술을 세계 최초로 개발했다고 15일 밝혔다.
송 교수팀이 개발한 화합물 반도체 나노 와이어 성장 기술은 지난 2004년 미국 MIT가 선정한 10대 미래 유망기술에 포함돼 있으며, 나노 트렌지스터와 나노 레이저, 메모리, 화학감지용 센서 등 나노소자 제작에 활용될 수 있는 핵심 기술로 평가받고 있다.
현재 전 세계적으로 나노 와이어를 저렴하게 생산하기 위해 값이 싼 실리콘 기판 위에 성장시키는 기술 연구가 활발하게 진행되고 있으나 크기(직경)가 균일하지 않아 나노소자 응용에 걸림돌이 돼 왔는데 송 교수팀이 이를 처음 해결했다.
연구팀은 나노 와이어 제조방법 중 하나인 분자선결정성장시스템(MBE:Molecular Beam Epitaxy)을 이용해 크기가 균일하고 우수한 광학 특성을 갖는 갈륨비소 나노 와이어를 만들어 냈다.
송 교수팀의 연구결과는 나노기술분야에서 세계적으로 영향력지수 1위를 자랑하는 ‘나노 레터스(Nano Letters)’ 1월호에 최근 게재됐다.
송 교수는 “이번 연구성과는 나노소자와 실리콘 반도체 기술을 접목시켜 저가의 실리콘 기반 나노소자를 개발할 수 있는 기반을 마련했다는 점에서 의미가 있다”면서 “차세대 정보통신 나노소자에 응용할 수 있을 것”이라고 말했다.
광주=김한식기자@전자신문, hskim@etnews.co.kr
