삼성전자(대표 윤종용)는 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 1기가 DDR2 D램<사진> 양산에 착수했다고 1일 발표했다.
60나노급 공정은 기존 80나노 대비 40% 이상, D램 업계의 현재 주력 양산 공정인 90나노에 비해서는 2배 이상 생산성 향상이 가능해, 경쟁사와의 원가 경쟁력 차이를 더욱 확대할 수 있는 최첨단 공정 기술이다.
지난 해 3월 80나노 공정을 적용한 512Mb D램을 세계 최초로 양산하며 80나노 D램 시대 개막을 알린 삼성전자는, 채 1년도 안된 시점에서 역시 세계 최초로 80나노급보다 2세대 앞선 60나노급 1기가 D램 양산을 실현하며 60나노 시대 개막을 선언하게 됐다.
60나노급 D램의 시장 창출 규모는 도입기인 올해 23억달러를 시작으로, 2009년까지 누계치로 320억달러에 육박할 전망이다.
이번 양산에 들어간 60나노 D램은 삼성전자가 세계 최초로 지난 2005년 말 개발한 제품이다. 삼성전자는 2000년 150나노급 이후 지난해 개발에 성공한 50나노급에 이르기까지 7세대 연속 최첨단 공정기술 세계 최초 개발이라는 진기록을 이어가고 있다.
삼성전자 측은 “이번 60나노급 D램 양산에는 삼성전자가 50나노 이하 초미세 기술을 위해 수년 전에 이미 확보한 원천기술이 적용됐다”며 “따라서 세계 최초로 60나노 D램을 양산한 자체도 의미가 있지만, 향후 50나노, 40나노급 제품 개발과 양산에 있어서도 삼성이 지속적으로 업계를 리드해 나갈 수 있는 기반을 마련했다는 점에서 더욱 큰 의의가 있다”고 설명했다.
이번에 양산을 시작한 60나노 D램에는 △D램 셀의 트랜지스터를 3차원 방식으로 제작해 집적도를 높인 삼성전자 독자개발의 RCAT(Recess Channel Array Tr.)기술 △삼성전자가 업계 최초로 범용 D램에 적용한 금속 기반(MIM: Metal Insulator Metal) 캐패시터 기술이 적용됐다. 특히 6F스퀘어(6F²) 셀 구조기술을 채택, 기존의 D램 셀 최소 면적 단위인 8F² 대비 10∼15% 추가 생산성 향상을 기대할 수 있다는 점도 이번 60나노 D램의 특징 가운데 하나다.
삼성전자 관계자는 “대부분의 경쟁사들은 아직 8F²기술을 채택하고 있어 이번 양산으로 삼성전자는 경쟁사들과의 차별화에 더욱 박차를 가할 수 있게 됐다”고 말했다.
심규호기자@전자신문, khsim@