하이닉스반도체(대표 우의제 www.hynix.co.kr)는 오류 검출·정정 기능을 하는 ECC(Error Correcting Code) 회로를 적용해 소비전력을 약 50% 줄인 초고속 모바일D램을 개발, 하반기에 양산한다고 15일 밝혔다.
ECC 회로는 칩 안에 회로로 내장돼 오류를 검출하고 수정하는 기능을 자체적으로 구현하는 것으로, 불량 셀이 발생했을 때 ECC 기능이 정상 셀로 정정해 줘 불량 셀이 소비하는 전력을 없애기 때문에 전체 소비전력을 최대 50% 이상 낮출 수 있다.
이번에 개발된 제품은 ECC 회로가 탑재된 모바일D램 가운데는 세계에서 가장 빠른 185㎒로, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 최대 초당 1.46Gb(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다.
지금까지 ECC 탑재 제품 가운데 가장 빠른 것은 마이크론이 개발한 167㎒ 제품이었다. ECC 기능이 탑재되지 않은 일반 모바일D램의 현 최고 속도 제품은 삼성전자와 하이닉스가 개발한 200㎒ 제품이다.
하이닉스의 ECC 회로 탑재 185㎒ 모바일D램은 80나노 공정 기술을 이용해 휴대형 전자기기에 적합하도록 초소형으로 제작됐으며, 전력 소모를 줄이는 TCSR(온도에 따라 충전 속도 조절), PASR(대기 시 데이터가 있는 부분만 충전), DPD(사용 중단 시 D램 작동 차단) 등 전통적인 모바일 D램의 기능들도 포함돼 있다.
최근 휴대형 전자제품 사양이 점점 높아지면서 모바일D램 용량도 크게 증가해 전원으로 배터리를 사용하는 모바일 기기에서 고용량 모바일D램을 사용할 때의 전력 소모량이 문제가 되고 있다.
하이닉스반도체 모바일사업담당 김용탁 상무는 “이번에 개발된 제품은 낸드 플래시의 ECC 개념을 모바일D램에 도입해 소비 전력을 크게 줄였기 때문에 고용량 D램의 높은 소비 전력을 우려하는 휴대형 정보기기 개발 업체의 고민을 덜어 줄 수 있을 것”이라고 설명했다.
심규호기자@전자신문, khsim@