이르면 올해 하반기부터 삼성전자와 하이닉스반도체가 낸드플래시 메모리도 해외 공장에서 생산한다. 이는 해당 국가와의 통상관계 개선 및 현지고객 관리를 겨냥한 것으로 최근 낸드플래시 시황이 개선되면서 빠른 증설의 필요성이 제기되고 있는 것도 배경으로 풀이된다.
17일 관련업계에 따르면 삼성전자는 이르면 4분기, 하이닉스반도체는 이르면 3분기에 각각 미국 오스틴공장과 중국 우시공장에서 낸드플래시 생산을 검토하고 있다.
삼성전자 측은 “증설을 계획하고 있는 오스틴공장의 두 번째 생산라인(300㎜ 전용)에서 낸드플래시를 주로 양산할 예정으로, 실제 제품은 연말쯤 출하될 전망”이라고 밝혔다.
삼성전자 관계자는 “오스틴공장은 10년 이상 추가 투자가 없었기 때문에 이번에 증설하는 것이며, 최근 낸드 시황이 좋아지고 있어 우선 낸드에 치중키로 한 것”이라며 “낸드플래시 최대 시장인 미국 현지고객과의 원활한 커뮤니케이션을 통한 고객관리, 현지생산을 통한 미국과의 통상관계 개선(무역분쟁관리) 등에도 효과가 있을 것으로 기대하고 있다”고 설명했다.
아직 확정되지는 않았으나 63나노와 51나노 최첨단 공정을 적용해 생산량을 극대화하는 방안이 검토되고 있다. 오스틴공장은 현재 200㎜ 팹이 한 개 운영되고 있으며 300㎜ 팹은 이번에 증설되는 낸드플래시 생산라인이 처음이다.
하이닉스반도체도 우시공장의 300㎜ 라인에 60나노 공정을 적용해 3분기 중 실제 제품을 출하하는 일정을 검토하고 있다.
하이닉스 측은 “전략적 파트너인 ST마이크로일렉트로닉스의 요청도 있어 중국 300㎜ 라인에서 이르면 3분기 출하를 목표로 낸드플래시 생산 계획을 짜고 있다”며 “하지만 아직 시기는 확정된 것이 아니다”고 밝혔다. 우시공장은 현재 D램 전용으로 200㎜팹과 300㎜팹 2개가 운영되고 있으며, 최근 300㎜ 팹의 캐파를 증설하고 있다. 우시공장의 낸드 생산이 확정되면, 증설이 추진되고 있는 캐파를 활용할 계획이다.
심규호기자@전자신문, khsim@