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하이닉스반도체(대표 김종갑 www.hynix.co.kr)는 80나노 공정기술로 제작된 DDR3와 이를 이용해 만든 고용량 메모리 모듈이 미국 인텔로부터 세계 최초로 인증을 받았다고 1일 밝혔다.
하이닉스가 이번에 인증을 획득한 제품은 1Gb(기가비트) 메모리칩과 1Gb(기가바이트)및 2Gb 메모리 모듈로 초당 처리속도가 800Mbps에서 1066Mbps로 현재까지 개발된 D램 제품 중 최고속이다.
IT기기의 고사양화에 따라 올해 말부터 DDR2에 이어 DDR3에 대한 수요가 본격적으로 일어날 것으로 예상되며, 하이닉스반도체는 업계 최초로 DDR3 제품의 인증을 획득함에 따라 DDR3 시장을 선점하게 됐다.
시장조사업체인 아이서플라이는 DDR3 시장이 내년 말까지 전체 D램 시장의 25% 규모로 성장하고, 2010년께에는 시장 주력 제품으로 자리 잡을 것으로 전망하고 있다.
하이닉스반도체 D램 개발 사업부 기중식 상무는 “이번에 인증을 받은 1Gb DDR3는 칩 크기가 작아 메모리 모듈 위에 평면 2열로도 배치할 수 있어 대용량 모듈을 만드는 데 유리하며 제조 비용도 크게 줄일 수 있다”고 설명했다.
이번 인증으로 DDR3 시장에 한 발 앞서 진출하게 된 하이닉스반도체는 올해 3분기부터 이번에 인증 받은 제품을 양산하고, 연말에는 66나노 공정으로도 생산을 시작할 예정이다.
PC 및 서버 등의 메모리로 현재 가장 많이 사용되고 있는 DDR2 제품이 최대 800Mbps까지 동작 속도를 낼 수 있는 반면 DDR3는 두 배에 달하는 1600Mbps까지 가능해 컴퓨터의 성능을 획기적으로 향상시킨다. 또 동작전압도 1.8V에서 1.5V로 낮아져 전력 소비가 25% 이상 줄어들어 에너지 효율화 추세에도 부합한다. 특히 DDR3는 동작을 보다 안정적으로 만들기 위해 입체적으로 설계한 ‘3차원 트랜지스터 구조’가 적용돼 누설 전류를 감소시킴으로써 전력 소모가 더욱 줄었고, 데이터 저장능력도 향상됐다.
심규호기자@전자신문, khsim@