하이닉스반도체에 이어 삼성전자도 차세대 DDR3 D램에 대해 미국 인텔로부터 인증을 획득, 하반기부터 DDR3 시장 선점을 위한 경쟁에 들어간다.
삼성전자(대표 윤종용)는 80나노 공정기술로 제작된 512Mb·1Gb DDR3 D램 8종<사진>과 이를 탑재해 제작한 모듈 13종 등 총 21종 메모리제품에 대해 인텔 인증을 획득했다고 14일 밝혔다.
인텔 인증은 해당 제품이 인텔의 PC플랫폼에서 완벽하게 작동하는 지 여부를 테스트해 인정하는 절차로, PC용 D램 제품의 경우 상용화의 마지막 관문에 해당된다.
DDR3 D램은 DDR2 대비 전력 소모가 적으면서도 초당 기가급 데이터 처리가 가능하다. 윈도 비스타 등 고성능 운용체계(OS) 사양과 함께 본격 성장해, 2009년 후반부터 시장 주력 제품으로 자리잡을 것으로 예상된다.
한편 하이닉스반도체는 지난 1일 세계 최초로 DDR3 단품 및 모듈에 대해 인텔 인증을 획득한 바 있다.
심규호기자@전자신문, khsim@