하이닉스반도체의 300㎜ 팹인 M10의 국산 장비 채택률이 6월 현재 40%(장비기종 기준)대까지 올라선 것으로 확인됐다.
이는 2006년 말 21%에서 6개월 만에 두 배 가까이 국산 비중을 높인 것이어서 반도체 장비의 빠른 국산화 가능성을 제시하는 것으로 주목된다. 특히 하이닉스는 M10에서 검증된 300㎜ 국산 장비를 중국 우시 300㎜ 공장을 비롯해 향후 구축할 300㎜ 팹에 우선적으로 채택할 예정이어서 300㎜ 전공정 장비 국산화에 속도가 붙을 것으로 기대된다.
하이닉스반도체가 ‘대·중소기업 상생 경영’의 성과 분석을 위해 집계한 자료에 따르면, 이천 M10 팹의 반도체 전공정(웨이퍼) 생산에 투입된 약 50개 장비 가운데 20개 정도가 국산으로 대체돼 M10 팹의 장비기종 기준 국산화율이 40%를 넘어선 것으로 나타났다.
하이닉스가 지난 연말 ‘정부의 대·중소기업 상생 보고대회’ 당시 제출한 자료에 따르면, 지난해 12월 당시 M10의 300㎜ 장비 국산화율은 20% 수준에 불과했다.
M10팹의 300㎜ 장비 국산 채택 비중이 6개월 만에 급증한 것은 하이닉스가 M10을 전략적인 ‘장비국산화 실천 팹’으로 지정하고 지난해부터 국산 장비의 시험 운용을 급속히 확대한 것이 배경으로 풀이된다. 실제로 지난 연말부터 최근까지 10개 가까운 국산 장비가 시험 가동을 거쳐 실제로 양산에 투입되고 있는 것으로 알려졌다.
현재 M10라인에서 장비의 국산 대체가 가장 활발한 분야는 식각·확산 공정 장비 등으로, 포토 및 이온주입장치 등의 국산화는 다소 저조한 것으로 나타났다.
최진석 하이닉스반도체 CTO는 “M10 팹 입구에는 국산화된 장비의 명패를 붙여 공개할 만큼 장비 국산화를 독려하고 있다”며 “다소의 위험부담을 감수하고 과감하게 국산 장비의 시험가동을 진행해 채택한 결과, M10 팹은 외산에 비해 상대적으로 가격이 싼 국산이 주류를 이루며 지구상에서 생산원가가 가장 낮은 팹으로 자리 매김하게 됐다”고 밝혔다.
한편 M10 팹의 재료 국산화율도 2006년 말 49% 수준에서 6월 현재 55%로 급상승했다.
심규호기자@전자신문, khsim@