인텔이 임베디드용 노어플래시 메모리 생산 공정을 65나노(㎚)로 전환할 계획이라고 인텔코리아가 22일 밝혔다.
65나노 기반 노어플래시 메모리는 내년 상반기 중에 고객들에게 견본이 제공될 예정이며 가전제품·유선 통신장비·산업용 기기 등에 주로 사용된다.
인텔은 노어플래시 메모리의 생산 공정을 65나노 기반 공정으로 전환하면 가격 대비 성능이 향상되고 제품 수명 주기 연장에도 도움이 될 것으로 내다봤다.
인텔 스트라타플래시(StrataFlash) 임베디드 메모리(모델명 P30, P33)는 비트당 가격이 가장 낮고 집적도와 성능이 뛰어나고 인텔 임베디드 플래시 메모리(J3 v.D)는 확장성이 요구되는 제품들에 적합하다. 또 인텔 시리얼 플래시 메모리(S33)는 메모리가 장착될 보드를 작게 만들 수 있어 TV·DVD·PC·모뎀·프린터 등 최종 제품의 소형화에 기여한다.
정소영기자@전자신문, syjung@