관련 통계자료 다운로드 하이닉스반도체 200mm 팹 현황 및 재정비 계획
하이닉스반도체가 200㎜(8인치) 팹의 하나인 M8의 설비 매각 계획을 철회했다. 그동안 하이닉스는 당초 300㎜ 팹을 증설하는 대신 노후화된 200㎜ 팹 중 M8과 M9의 설비를 일괄 매각하기로 하고 해외 업체와 협상을 벌여왔다.
30일 관련업계에 따르면 하이닉스반도체는 M8 팹의 생산 설비를 매각하는 대신 보완 투자로 60 나노 공정으로 전환, 낸드플래시를 증산하는 데 활용하기로 했다. 하이닉스의 전략선회는 300㎜ 팹 완공 때까지는 시간이 걸리는만큼 200㎜ 팹을 재정비해 메모리 생산능력을 극대화하려는 계산 때문이다.
하이닉스는 M8뿐 아니라 D램이 주력인 또 다른 200㎜ 팹인 M7과 미국 유진공장의 E1, 중국의 C1 등에도 현 단계 공정 가운데 가장 효율성이 높은 80나노 공정으로 모두 업그레이드해 D램 생산규모를 높일 예정이다.
현재 M7의 공정은 85나노, E1은 90나노가 주력이어서 20∼30%의 증산 효과를 거둘 것으로 분석된다.
이와 함께 200㎜ 엔드팹(보틀넥이 생기는 지점의 처리능력을 이원화해 전체적인 생산 효율성을 높이는 지원 팹)으로 활용해 온 이천의 M4 팹은 300㎜ 팹인 M10의 엔드팹으로 전환해 M10의 생산능력 확대를 지원하도록 하는 방안을 검토 중이다.
하이닉스는 이 같은 내용의 200㎜ 팹 재정비 계획을 수립하면서 최근까지 대만 TSMC 등 3∼4개 해외반도체업체와 협상을 벌여온 청주 M8·M9 팹 장비의 일괄 매각 계획을 수정, M9와 M4 팹의 장비만을 매각 대상으로 선정하고 새로운 협상에 들어갔다.
하이닉스는 현재 이천공장의 M7라인·청주공장의 M8과 M9·중국 우시공장의 C1, 미국 유진공장의 E1의 5개 200㎜ 팹을 가동하고 있다.
심규호기자@전자신문, khsim@