삼성전자와 하이닉스반도체가 차세대 메모리 시장 주도권을 쥐기 위해 16년 만에 처음으로 공동 전선을 구축했다. 디스플레이 핵심장비·재료 분야에도 삼성전자와 LG필립스LCD를 비롯, 장비·재료 업체들이 공동 연구개발(R&D)에 착수했다. 세계 메모리 반도체와 디스플레이 산업을 이끄는 우리나라 대·대기업·중소기업 간 협력이 본격화했다. ▶ 하단 관련기사
삼성전자와 하이닉스반도체는 24일 테라비트급 차세대 비휘발성 메모리소자(STT-M램·수직자기형 비휘발성 메모리) 원천기술 개발을 위해 공동 참여키로 하고 이날 서울 행당동 한양대 종합기술원에서 공동 R&D협약을 체결했다.
두 회사가 차세대 메모리 분야에 손잡은 것은 지난 92년 64MD램 공동개발(삼성전자·현대전자·LG반도체) 이후 처음이다. 양사의 협력은 차세대 메모리 원천기술을 조기에 개발해 메모리 시장의 주도권을 되찾으려는 일본 업체들의 움직임에 영향을 받았다. 일본은 도시바와 NEC·후지쯔의 3사 주도로 지난 2006년부터 차세대 메모리의 유력한 대안인 STT-M램 개발에 30억엔을 투입하는 국가 R&D사업을 진행 중이다.
삼성전자와 하이닉스는 공동 R&D 추진과 함께 정부가 추진해온 차세대 테라비트급 비휘발성 메모리사업 1단계 프로그램 과정에서 나온 비휘발성 메모리 소자 및 제조방법, 고집적 비휘발성 메모리용 상변화 재료 등 모두 8건의 특허도 구매했다. 상용화 시에는 매출액의 일정비율을 라이선스료로 지급하는 조건이다.
2단계 사업에는 주성엔지니어링과 한국알박이 각각 나노플로팅게이트메모리(NFGM)와 찰코지나이드랜덤액세스메모리(CRAM) 개발에 참여한다.
김용근 산업자원부 산업정책본부장은 “반도체산업의 경쟁의 패러다임이 개별기업 간 경쟁에서 기업네트워크 간 경쟁으로 바뀌었다”며 “일본 반도체 업체들이 90년대 잃어버린 정상을 탈환하기 위해 전략적 제휴를 강화하는 상황에서 삼성·하이닉스가 차세대 메모리 시장 선점을 위해 정부와 함께 힘을 모으기로 한 것은 더 나은 미래를 위한 선택이 될 것”이라고 밝혔다.
한편, 디스플레이 업계도 올해부터 시행하는 산자부 디스플레이 전략기술개발사업의 후보과제인 ‘디지털 노광기 개발’에 산업계 공동 연구기획을 진행 중이다.
◆용어설명:
- 나노플로팅게이트메모리(NFGM)- 플래시메모리 소자구조에서 저장전극에 해당하는 부분이 나노 크기의 입자로 구성된 메모리 소자로 NAND·NOR형 구조 모두에 적용가능하다.
- CRAM(Chalcogenide Random Access Memory)- 소자 재료의 상변화를 통한 전기적 저항 차이를 이용한 비휘발성 메모리 소자
주문정기자@전자신문, mjjoo@