세계 1위 반도체 수탁생산(파운드리) 기업인 대만의 TSMC가 40나노미터(nm) 공정개발에 성공했다고 25일 밝혔다.
지난해 45nm 공정을 개발한 바 있는 이 회사는 이번에 40nm 공정개발에도 잇따라 성공함에 따라 세계 최고의 기술수준을 확보하게 됐다. 40nm 초미세 공정은 2분기부터 본격 적용될 예정이다.
TSMC의 40nm 공정은 기존 65nm 공정에 비해 집적도가 2.35배 향상돼 동일한 웨이퍼 투입 조건에서 반도체 생산능력은 2배 이상 증가한다. 소비전력도 앞서 개발한 45nm 공정에 비해 15% 절감할 수 있다. 40nm 공정 개발엔 저전력(LP)·193nm 리소그래피·익스트림 로-k(ELK) 물질 등이 적용됐다.
회사는 40nm 공정을 자사 300㎜ 웨이퍼 팹에 적용해 가전용 초소형 반도체, 재설정가능반도체(FPGA) 등을 생산할 계획이다.
최정훈기자@전자신문, jhchoi@