삼성전자가 90나노 공정을 적용 288KB EEPROM을 내장한 고성능 스마트카드 칩을 개발했다.
이번에 개발한 제품은 288KB EEPROM과 함께 삼성전자가 자체 개발한 고성능 CPU (16bit CalmRISCTM) 기반에 16.5KB SRAM과 384KB ROM을 탑재하여 저장 용량을 높인 것이 특징이다.
또한 보안성 강화를 위해 미국 상무부에서 공표한 암호화 표준 3-DES (3-Data Encryption Standard), 비대칭 방식 암호화 표준인 RSA(Rivest Shamir Adleman)/ECC(Elipstic Curve Cryto),
삼성전자가 독자 개발한 암호화 프로세서 `Tornado` 등을 적용했다.
삼성전자 관계자는 "288KB EEPROM 외에도 72KB/144KB EEPROM이 내장된 스마트카드 칩도 함께 개발함으로써 다양한 고객의 요구에 대응할 수 있는 제품 포트폴리오를 갖추게 됐다"고 밝혔다.
삼성전자는 이번에 개발한 90나노 EEPROM 신제품 3종을 이 달부터 국내외 스마트카드 업체에 샘플로 공급하기 시작해 올해 말 본격 양산할 예정이다.
한편 90나노 공정 기술이 적용된 320KB/410KB 플래시메모리 내장형 스마트카드 칩을 올 11월, 12월에 각각 샘플로 공급할 예정이다.
전자신문인터넷 조정형기자 jenie@etnews.co.kr