하이닉스반도체(대표 김종갑 www.hynix.co.kr)는 스위스 뉴모닉스와 차세대 낸드플래시 기술 및 제품에 대한 포괄적인 공동 개발 계약을 체결했다고 6일 밝혔다.
두 회사는 이번 계약을 계기로 향후 5년간 플래시 메모리 제품군 확대를 비롯해 신규 제품 설계 및 차세대 기술 공동 개발을 통해 낸드플래시 사업 경쟁력을 강화할 예정이다. <본지 8월 5일자 9면 참조>
하이닉스는 이번 확대 계약을 통해 낸드플래시에 대한 포괄적인 공동 개발을 비롯해 휴대폰용 멀티칩패키지(MCP) 제품에 사용되는 모바일 D램에 대한 협력도 추진할 계획이다. 뉴모닉스의 비휘발성 메모리 기술을 바탕으로 낸드플래시 공정 세대 전환시의 기술적 한계를 극복할 수 있을 것으로 기대했다.
김종갑 하이닉스 사장은 “이번 협력을 통해 향후 중요한 분야가 될 것으로 전망되는 SW 및 컨트롤러 등 솔루션 제품의 경쟁력을 높여 성공적으로 관련 시장에 진입할 수 있을 것”이라고 말했다.
하이닉스는 뉴모닉스와의 협력확대를 계기로 기존의 낸드플래시 칩을 단순 실리콘에서 마이크로SD, eMMC 및 SSD 등 복합 시스템으로 향상시켜 복합 솔루션 시장을 공략할 수 있게 됐다. 특히, 기존 낸드플래시의 플로팅 게이트 구조를 대체할 것으로 예상되는 CTD(Charge Trap Device) 개발에 있어 뉴모닉스가 보유한 노어플래시 기술을 활용할 수 있어 기술 경쟁력 확보에도 도움이 될 것으로 내다봤다.
한편, 하이닉스는 이번 협력과는 별도로 모바일 D램을 최대 수요처 중 하나인 뉴모닉스에 대량 공급하게 됐다. 연내 모바일 D램 시장 점유율을 상당한 수준으로 높일 수 있게 됐다.
주문정기자 mjjoo@