국내 한 벤처기업이 50억달러 규모에 달하는 세계 화합물반도체 시장에 ‘다크호스’로 등장했다. 비화갈륨(GaAS), 질화갈륨(GaN) 등을 이용한 화합물반도체는 실리콘 기반에 비해 높은 출력과 효율을 장점으로 LED, 이동통신장비, 군통신장비 등에 사용돼왔다. 지금까지 미국업체들이 세계시장의 70% 이상을 독식해왔는데 알에프에이치아이씨(대표 조삼열·조덕수)라는 통신부품업체가 최근 양산은 물론 신기술 개발을 선도하고 있다.
이 회사는 차세대 반도체소자로 불리는 GaN 전력용 트랜지스터를 올초 양산하기 시작했다. 해외 경쟁사보다 앞선 양산이다. 질화갈륨은 출력성능이 뛰어나고 광대역, 고효율, 높은 신뢰성 등의 장점이 있어 화합물반도체업계가 관심을 갖고 있다. 단점인 가격문제도 알에프에이치아이씨는 이전 제품과 비슷한 수준으로 낮췄다.
이 회사의 조삼열 기술총괄사장은 “올해 2∼3만개의 질화갈륨 전력용 반도체를 생산할 예정이며, 내년엔 폭발적인 성장세가 기대된다”고 설명했다. 회사 측은 질화갈륨 신제품의 성장에 따라 올해 40%였던 수출비중을 내년에는 크게 확대할 계획이다.
알에프에이치아이씨는 최근 영국의 한 회사로부터 암치료용 제품개발 의뢰를 받았다. 질화갈륨의 응용 분야도 향후 의료, 하이브리드카, 항공우주 등으로 확대될 전망이다.
알에프에이치아이씨는 질화갈륨 전력용 트랜지스터를 기반으로 응용제품도 내놓을 예정이다. 0.8∼2.7GHz 광대역에 사용될 수 있으며 하나의 전력증폭기로 GSM, PCS, 와이파이 등 다양한 통신시스템에서 사용될 수 있는 제품을 개발중이다.
알에프에이치아이씨는 지난 1999년에 설립해 비화갈륨 화합물반도체 부품·모듈을 연간 1000만개 이상 생산한다. 올 매출목표는 300억원이다. 삼성, LG 등 국내업체는 물론 시스코, 모토로라, 알카텔루슨트 등 글로벌 기업들을 고객사로 확보했다.
설성인기자 siseol@