국내 메모리 반도체 생산 라인에서 200㎜ (8인치) 웨이퍼 양산시대가 막을 내린다.
18일 업계에 따르면 하이닉스반도체·삼성전자 등 메모리 반도체 대표 주자들은 생산성을 높이기 위해 200㎜ 메모리 반도체생산라인 가동을 전면 중단하거나 비메모리 반도체 라인으로 전환하고 있다.
따라서 1990년대 메모리 반도체 분야에서 주력 생산 라인이었던 200 mm 웨이퍼는 2000년대 초반부터 들어서기 시작한 300mm 웨이퍼(12 인치)의 30% 가량 높은 생산 경쟁력에 밀려, 머지 않아 그 역할을 다하고 반도체 역사 속으로 사라질 전망이다.
하이닉스반도체는 D램을 주력으로 생산하던 이천 M7 공장에 즉시 웨이퍼 투입을 중단, 이달 말 조업을 종료키로 했다고 이날 밝혔다. 마지막 남은 청주의 M8공장서도 월 13만장의 웨이퍼 생산 유지 계획을 급수정, 절대 공급에 필요한 제품만 생산키로 했다. 이에 앞서 이 회사는 중국 HC1·미국 유진의 E1·청주 M9 등 200㎜ 웨이퍼 공장을 가동중단하기로 결정한 바 있다. 이에 따라 하이닉스의 200mm 웨이퍼 생산 비율은 지난해 말 월 50% 수준에서 내년 초에는 10% 이내로 줄어들 전망이다.
하이닉스 측은 “300㎜ 제품 생산공장 대비 경쟁력이 떨어지는 200㎜ 생산공장의 구조조정을 애초 일정보다 당겼다”며 “주력 제품인 D램·낸드플래시 메모리 생산의 대부분을 원가구조가 뛰어난 300㎜ 공정으로 전환, 수익성·현금흐름 등을 개선할 것”으로 기대했다.
이와 같은 200㎜ 생산공장의 조기 종산으로 인해 하이닉스의 전체 웨이퍼 생산능력은 2분기 대비 내년 초에는 약 30%가 감소되며 D램의 경우 20% 이상, 낸드플래시의 경우 40% 이상 줄어들게 된다. 업계 전체 적으로도 상당 수준의 공급 능력 감소 효과가 예상된다.
삼성전자도 국내 메모리 반도체 200㎜ 생산 라인을 시스템LSI 생산 라인으로 전환하고 있다. 이 회사는 200㎜반도체 생산라인(L3∼L10)중 지난해 기흥 L6를 메모리 반도체 생산 용도에서 시스템 LSI로 전환, 전체 200 ㎜ 생산라인에서 절반이 시스템 LSI라인이다.
안수민기자 smahn@