전자 부품 주성엔지니어링,박막 패턴 형성 방법 특허 취득 발행일 : 2008-11-17 11:12 공유하기 페이스북 X(트위터) 메일 URL 복사 글자크기 설정 가 작게 가 보통 가 크게 주성엔지니어링이 박막 패턴 형성방법에 대한 특허를 취득했다. 본 발명은 박막 패턴 형성을 위한 하드 마스크와 감광막 간의높은 식각 선택비를 갖는 박막 패턴 형성 방법에 관한 것으로 193nm이하의 파장에서 사용하는 포토 레지스트 패턴 하부의 하드 마스크막 식각시 CH2F2가스 및 H2가스를 포함하는 혼합가스를 사용하여 포토 레지스트패턴과 하드 마스크막의 식각 선택비를 높일 수 있다.
