투명한 디스플레이 구현에 기초기술로 활용될 투명 메모리 소자를 우리나라 연구진이 세계 첫 개발했다.
KAIST 전자전산학부 임굉수, 박재우 교수 연구팀은 금속 산화물의 저항 변화를 이용한 차세대 투명 저항 변화 메모리(TRRAM) 소자를 개발, 미국 응용물리학회지 12월호에 발표했다고 15일 밝혔다.
이번에 개발된 투명 메모리 소자는 USB형태의 플래시 메모리와 같이 전원이 제거되어도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리 소자와 같은 종류다. 또한 투명 유리 또는 투명 플라스틱 기판 위에 투명 전극과 투명 산화물 박막 등으로만 구성돼 있어 전체적으로 투명하게 보이는 것이 특징이다. 특히 기존 실리콘 기반 CMOS(상보적 금속 산화물 반도체) 플래시 메모리 소자보다 제조 공정이 간단하고 사용 수명도 10년 이상이다.
연구진은 “기술적으로 상용개발이 진행중인 저항 변화 메모리(RRAM)를 응용한 것”이라며 “향후 투명 디스플레이 등과 같은 투명 전자기기와 집적화해 통합형 투명 전자시스템을 구현할 수 있다”고 말했다.
KAIST 관계자는 “이번 투명 메모리 소자 개발이 기존 실리콘 기반 CMOS 플래시 메모리 시장을 완전히 대체 하는 기술은 아니다”라고 말했다.
대전=박희범기자 hbpark@etnews.co.kr