스위스 뉴모닉스가 한국의 파트너인 하이닉스를 통해 새해 1분기 41나노 낸드플래시 제품을 양산한다. 삼성전자·도시바·하이닉스 등이 펼치는 40나노급 경쟁 대열에 합류하는 것이다. 뉴모식스는 인텔과 ST마이크로일렉트로닉스의 플래시메모리 사업 부문을 합쳐 지난 3월 31일 출범했다. 지난 8월에는 하이닉스와 차세대 낸드플래시 기술 및 제품 관련 포괄적 공동개발 계약을 맺었다.
롤프 피터 시블 뉴모닉스 부사장은 지난 19일 강남 교보타워 한국지사서 기자간담회를 갖고 “하이닉스와 조인트벤처를 통한 제조 파트너십를 활용, 내년 1분기 41나노 멀티레벨셀(MLC) 제품을 양산할 것”이라고 밝혔다. 이 회사가 생산할 제품은 2∼32GB eMMC(embedded Multi Media Card)와 2∼8GB 마이크로SD 메모리카드 등이다.
롤프 피터 시블 부사장은 “낸드플래시 시장이 당분간 어렵겠지만 차별화한 솔루션과 앞선 공정기술로 경쟁우위를 확신한다”면서 “올해 시장점유율은 작지만, R&D투자에 공을 들여왔기에 새해 큰 폭의 점유율 증가가 예상된다”고 말했다. 올 3분기 기준으로 뉴모닉스의 시장점유율은 2%대에 불과했다.
이 회사는 낸드플래시 시장에서 데이터, 무선, 임베디드 분야에만 집중하며 대규모 설비투자보다 파트너사와의 협력을 통해 생산능력를 확보했다. 뉴모닉스는 하이닉스와 중국 우시 법인에 합작투자를 했으며, 일본 엘피다와는 파운드리 계약도 맺었다.
뉴모닉스는 48나노 1Gb 싱글레벨셀(SLC) 낸드플래시 제품도 새해 1분기에 양산할 예정이다. 데이터 읽기 속도가 26MB/s이며 90나노 제품보다 프로그램 작업속도가 4배나 빠르다.
설성인기자 siseol@etnews.co.kr