일본 반도체 전문 기업인 로옴은 LCD TV 백라이트 인버터·조명용 인버터·모터 드라이버·스위칭 전원 등의 브릿지 회로에 사용하는 고성능·고내압 전력 반도체 모스펫(MOSFET) ‘에프(F) 시리즈’를 개발, 4월부터 월 100만 개 규모로 양산한다고 8일 밝혔다.
‘F 시리즈’는 다이오드 역회복 시간(TRR)를 단축하는 수퍼정션(Super Junction, 실리콘 기판 내에 종형의 PN 접합을 주기적으로 배열한 구조) 모스펫 중 소자 내부에 국소적인 트랩 레벨을 최초로 형성, 기존 수퍼 정션 구조품에 비해 TRR 속도를 60㎱에서 70㎱로 약 60％ 줄인 게 특징이다.
기존엔 트랩 레벨을 소자 내부에 형성하면 TRR은 빨라지지만, 기존 수퍼 정션 구조에서는 트랩 레벨을 형성하기 어려웠는 데 로옴이 이 문제를 최초로 해결했다.
따라서 ‘F 시리즈는 FRD(Fast Recovery Diode)가 없이도 브릿지 회로에 사용할 수 있어 세트 제품의 소형화·저비용화에 기여한다. 로옴 측은 “이번에 개발한 ‘F 시리즈’를 비롯한 독자적인 최첨단 프로세스 가공 기술을 활용해 고객 요구에 신속하게 대응하는 트랜지스터 제품 개발도 추진한다”고 말했다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr