삼성전자·하이닉스반도체가 올 4월 이후 현재 주력 D램 공정인 60나노급 생산 라인 운영 축소에 ‘올인’한다. 대신 50나노급 라인을 올해 D램 주력 공정으로 삼기로 했다.
16일 업계에 따르면 삼성전자·하이닉스는 경쟁 반도체기업과의 원가경쟁 격차를 더욱 벌리기 위해 올해 50나노 D램 공정 확대와 40나노 D램 공정 전환(마이그레이션) 등 반도체 설비에 각각 2조∼3조원, 1조원 규모를 4월 이후 단계적으로 투자키로 했다. 특히 양사는 연내 D램 주력 공정 생산 물량을 60나노급에서 50나노급 으로 40∼50% 가량 전환하고 9월 이후 40나노급 제품도 일부 양산, 경쟁 업체 대비 55% 이상 원가 경쟁 우위를 확보한다는 전략이다.
삼성전자는 현재 월 출하량에서 ‘50나노급 D램 제품 대 60나노급 D램 제품’의 생산 비율이 현재 ‘22대 78’로 파악되고 있다. 삼성전자는 2008년 4월부터 56나노 D램 제품을 양산해왔다. 이 회사는 현재 68나노 D램 제품 비중이 비교적 높지만 연내 60나노급 출하 비율을 50% 내외로 줄인다는 목표다. 대신 56나노급 D램 비중을 높이고 올 9월 양산에 들어가는 차기 주력 공정인 46나노 D램 제품 양산 수율을 높일 예정이다.
하이닉스는 현재 월 출하량에서 50나노급 D램 제품 비중이 약 26% 차지한 것으로 분석된다. 하이닉스는 2008년 5월부터 54나노 D램을 양산해왔다. 이 회사는 현재 ‘66나노 대비 54나노 제품’의 비율이 ‘74대 26’으로 60나노급 제품 출하량이 많지만 50나노급 생산 비율을 연말께 40% 가까이 끌어올려 주력 공정으로 삼는다. 또 이르면 9월 차기 주력 공정인 44나노 D램 제품 비중을 높이는데 나선다.
이에 반해 난야 70나노급, 프로모스 80나노급 등 대만 D램 업체들은 70∼80나노급 D램 공정에 주력하고 있다. 미국 마이크론·일본 엘피다 등도 60나노급 D램 공정을 주력으로 하면서 올해 50나노 공정 도입 내지는 추진하고 있어 50나노 양산에 들어간 삼성전자·하이닉스 나노 공정에서 한 세대 이상 뒤져있다.
업계 관계자는 “반도체 가격이 원가 이하로 거래되고 수요가 침체한 여건에서 소자 기업이 수익을 담보하기 위해선 60나노급 D램 제품을 최대한 줄이는 게 최우선 과제”라고 말했다. 또 다른 관계자는 “소자 기업들이 현재 설비투자의 큰 틀만 잡은 채 세부 투자계획을 아직 확정짓지 않았다”며 “본격적인 설비투자 시점은 반도체 가격 반등을 확신할 수 있는 3∼4월께 이후로 전망된다”고 말했다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr