하이닉스, 초고속 모바일 D램 개발

 영화 5∼6편을 1초에 내려받을 수 있는 초고속 모바일 D램이 세계 최초로 개발됐다.

 하이닉스반도체(대표 김종갑)는 평균 1.2V의 저전압에서 1066Mbps의 초고속 데이터 전송속도를 세계 최초로 구현, 전압·속도 측면에서 세계 최고의 성능을 갖춘 54나노급 모바일 1기가비트(Gb) 모바일 LPDDR2(Low Power DDR2) D램 제품을 개발, 올 3분기에 양산한다고 27일 밝혔다.

 하이닉스는 이 제품을 앞세워 부가가치가 비교적 높은 올해 모바일 D램 시장에서 작년 대비 2배 수준인 시장 점유율 24% 달성에 본격 나섰다. 특히 이 회사는 54나노 1Gb LPDDR2 등 다양한 제품군를 통해 모바일 D램 시장에서 2위 반열에 오를 계획이다.

 1Gb 모바일 LPDDR2는 평균 1.2V의 저전압에서 작동하고 1.14V 저전압에서도 구동, 전력 소모량이 기존 1.8V에서 작동하는 모바일 D램(DDR)의 50% 수준에 달한다. 또, 1066Mbps의 세계 최고속 데이터 전송속도를 구현해 32개의 정보 출입구(I/O)를 거쳐 초당 싱글 채널은 최대 4.26Gb, 듀얼 채널은 8.52Gb의 데이터를 처리할 수 있다. 이 속도는 보통 영화 5∼6편을 1초에 내려받을 수 있는 수준이다.

 하이닉스 측은 “신제품은 대기 전력 소모를 단축하면서도 빠른 속도를 구현해 모바일인터넷디바이스(MID), 넷북, 고성능 스마트폰 등의 모바일 애플리케이션에 적합하다”며 “한 칩에서 다양한 데이터 처리 속도 및 방식 지원이 가능한 ‘원 칩 솔루션’ 기능도 제공, 기기의 사양에 적합하게 변경·사용할 수 있다”고 말했다.

 하이닉스는 내년 초에 40나노급 LPDDR2 제품도 내놓을 계획이다. 50나노급의 대용량 2Gb모바일 D램, 60나노급의 고속 1Gb LPDDR2 등 다양한 모바일 D램 제품군을 앞세워 고객사의 요구에 실시간으로 대응해 올해 모바일 D램 시장에서 세계 2위인 엘피다를 제치고 고부가 모바일 D램 시장을 선도할 계획이다.

  안수민·서동규기자 smahn@etnews.co.kr