삼성전자가 하반기 반도체 설비 확충에 최소 1조원 이상을 투자할 전망이다.
또 지난 2분기에 반도체 부문의 흑자 전환이 확실시된다.
삼성전자 권오현 사장(반도체사업담당)은 16일 서울 JW메리어트호텔에서 열린 ‘현대차와 삼성전자 자동차용 반도체 협력 양해각서(MOU) 조인식’에서 기자들과 만나 “하반기 반도체 경기가 나아질 것으로 예측, 하반기 반도체 투자 규모를 상반기보다 더 많이 할 것”이라고 밝혔다. 권 사장은 정확한 투자 규모를 밝히지 않았지만 1분기 3500억원을 포함해 상반기 반도체 설비 투자에 8000억원 안팎을 집행한 것으로 알려졌다.
삼성전자의 하반기 반도체 투자는 원가 경쟁력을 높이기 위해 D램 40나노급·낸드 30나노급 등 차기 공정을 새로 도입하고 주력 공정을 D램 50나노급·낸드 40나노급 등으로 전환하는 데 집중할 것으로 보인다. 권 사장은 “올해 3분기 46나노 공정 제품(2Gb DDR3)을 일정대로 양산하고 내년부터 DDR3 D램 비중을 높일 것”이라고 밝혔다.
삼성전자는 다만 화성 10라인의 팹증설 투자는 신중하게 진행하기로 했다. 권 사장은 “10라인을 300㎜ 팹으로 전환, 연내 가동한다는 목표를 연초 세웠지만 연내 10라인의 가동은 상당히 유동적인 면이 있다”고 말했다. 올해 초 반도체 경기 회복 기대치가 워낙 낮았기 때문에 상대적으로 지금 좋아 보이는 것일 뿐 여전히 정상적인 시황이 아닌 상황에서 공급 과잉을 초래할 증설 투자가 적지 않게 부담스럽다는 설명이다.
권 사장은 또, 시스템반도체 사업 전망에 대해 “매출 외형은 작지만 시스템 반도체 성장률은 메모리 반도체보다 좋을 것”으로 확신했으며 “(차량용 반도체 MOU 교환 등을 계기로) 시스템 반도체 사업 육성을 위한 내부 전략을 이미 짜놓은 상태”라고 말했다. 권 사장은 삼성전자 반도체사업의 2분기 실적은 “2분기에 흑자 전환은 확실하나 그 규모는 현재 밝힐 수 없다”고 덧붙였다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr