관련 통계자료 다운로드 삼성전자 세계 최초 2Gb D램 양산 이력
삼성전자가 세계 최초로 46나노 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품을 이달 말부터 양산한다. 생산원가 경쟁력을 바탕으로 차기 D램 주력 제품인 DDR3 D램 시장에서도 세계 D램 시장 1위 지배력을 계속 이어갈 전망이다.
삼성전자는 지난 1월 세계 최초로 46나노 공정을 적용한 D램을 개발한 데 이어 최근 D램 공급 계약을 체결하는 등 이달 말부터 2Gb DDR 3 D램을 본격 양산한다고 21일 밝혔다.
46나노 2Gb DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 56나노 제품에 비해 생산성이 약 60% 높다. 작동전압은 1.35V로, 기존 1.5V 제품에 비해 20% 정도 빠른 1.6 의 데이터 처리 속도를 구현한다.
삼성전자는 46나노 DDR3 D램을 조기 양산함으로써 고객들로부터 최고의 친환경 솔루션으로 호평받고 있는 56나노 2Gb DDR3 D램보다 고성능 제품을 제공, 제품 차별화를 꾀할 수 있게 됐다. 경쟁업체에 비해 D램 공정을 56나노에서 46나노로 한 세대 이상 앞서 양산화에 성공, 원가경쟁력을 60% 강화해 반도체 공급 가격 회복세 지연에도 능동적으로 대처할 것으로 전망된다.
삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 △서버용 16Gb·8Gb 모듈(RDIMM) △워크스테이션·데스크톱 PC용 4Gb 모듈(UDIMM) △노트북 PC용 4Gb 모듈(SODIMM) 등 프리미엄급 대용량 메모리 모듈 제품을 중점 공급할 계획이다.
삼성전자 측은 “생산 공정을 단순화하고, 생산 기간을 단축하는 등 생산 효율을 향상해 원가경쟁력을 더욱 높였다”며 “하반기 전체 D램 생산량에서 DDR3 D램의 생산 비율을 시장조사 기관의 전망치보다 높게 할 것”이라고 말했다.
아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트(bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 높아질 전망이다. 2Gb D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것으로 전망된다.
한편 하이닉스반도체도 3분기 44나노 공정의 1Gb DDR3 D램을 초기 양산하고 4분기에 DDR3 D램을 대량 생산할 예정이다. 삼성전자·하이닉스는 D램 공정을 50나노급에서 40나노급으로 조기에 전환하면서 불투명한 반도체 시황을 첨단 공정과 원가경쟁력으로 극복할 수 있게 됐다.
안수민·서동규기자 smahn@etnews.co.kr