삼성전자가 미국 오스틴 공장의 낸드 메모리 증산에 본격 나섰다.
이는 오스틴 낸드 메모리 300㎜ 공장(A2)에 월 6만장 이하의 설비 투자를 작년 상반기 마친 지 1년여 만에 캐퍼 증설를 재개한 것으로 낸드 메모리 공급 부족현상에 따른 공급가 인상 수혜를 선점하기 위한 전략으로 풀이된다. 상반기 40 나노 이하 초고집적 낸드 메모리는 약 3% 공급 부족으로 평균단가가 2배 이상 상승, 삼성의 반도체 사업 적자 전환의 요인이 되기도 했다.
10일 업계에 따르면 삼성전자는 텍사스주 오스틴 낸드 메모리 300 ㎜ 공장의 생산능력을 현재 월 6만장에서 연말께 월 10만장으로 늘리기 위한 설비 투자를 진행키로 한 가운데 장비 업체를 대상으로 공급물량 등의 구매협의를 진행중에 있는 것으로 확인됐다. 특히 이 회사는 오스틴의 낸드 메모리 300㎜ 팹에 40나노급에 이어 30나노급 공정도 도입, 40나노급 이하 고집접 낸드 메모리 수요를 집중 공력할 계획이다.
삼성전자는 구리증착장비·웨이퍼연마(CMP)장비 등 구리 배선 공정 전용 장비 구매 협의를 진행하고 있다. 40나노 이하 고집적 낸드 메모리를 생산하기 위해선 반도체 회로를 연결하는 배선 금속 재료를 알루미늄이 아닌 구리를 사용해야 하기 때문에 이들 장비 구매는 필수이다.
삼성 내부에 정통한 한 관계자는 “오스틴 낸드 메모리 공장은 ‘모듈1 라인’과 ‘모듈2 라인’로 내부적으로 호칭하는 데 빈 공간으로 남겨둔 ‘모듈2 라인’에 구리 배선 공정(40나노 이하 낸드 메모리)을 추가 도입하기 위한 장비구매를 진행하고 있다”고 말했다. 이 관계자는 “삼성은 현재 장비업체와 공급 물량 등을 논의하고 있다”고 밝혀 3분기 중 삼성의 오스틴 장비 발주가 시작될 전망이다.
삼성의 이같은 증산 투자는 공급부족 현상이 빚어진 40나노급 이하 낸드 메모리 시장 수요를 선점, 반도체 사업 흑자 기조를 지속하기 위한 전략으로 풀이된다. 제품 특성이 우수한 40나노급 이하 고집적 낸드 메모리를 공급할 수 있는 기업이 하이닉스뿐인 탓에 공급 가격이 오르고 있기때문이다. D램익스체인지에 따르면 지난 6일 낸드 16Gb 2Gx8 MLC 평균 고정거래가격은 4.12 달러로 지난달 초에 비해 3% 올랐다.
반도체 업계 한 관계자는 “삼성이 화성 12 라인의 낸드 메모리 생산량을 상반기 2만∼3만장 더 늘린 데 이어 미 오스틴 낸드 증산에도 본격 나서고 있다”며 “삼성은 초고집적 낸드 시장에서의 3% 공급 부족 현상을 십분 활용, 수익성 제고 발판으로 삼을 것”이라고 말했다.
삼성전자 관계자는 “3분기 중 국내 라인에 32 나노 낸드 메모리 공정 도입에 이어 오스틴 공장에도 30나노급 낸드 선행 공정 도입을 검토하고 있다”며 “하지만 구체적인 투자 규모와 시기는 반도체 시황을 고려해 결정키로 했다”고 말했다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr