삼성전자가 차세대 주력 공정인 40나노급 DDR3 D램을 다음 달 150만개 생산에 이어 연말까지 월 2000만개 생산하기로 했다. 고부가가치의 DDR3 D램 시장에서 경쟁 업체와의 시장 격차를 더 벌리는 한편 메모리 수익성의 절대 우위를 지속하기 위해서다.
23일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 7월 말 처음 양산에 들어간 2Gb 용량 등 40나노급 DDR3 D램을 조기 증산해 올해 자사 전체 D램 생산 물량에서 차지하는 40나노급 DDR3 D램 생산 비중을 10% 이상 늘리기로 했다. 또 40나노급을 포함해 주력공정인 50나노급 DDR3 D램 생산 비중도 현재 20%대 후반에서 연말 50% 이상 늘리기로 했다. 이 수치는 올해 세계 D램 시장에서 DDR3 D램이 차지하는 비중에 대한 아이서플라이의 전망치 20%에 비해 두 배 이상 높다.
삼성전자가 이처럼 40나노급 DDR3 D램 생산 물량을 대폭 확대하는 것은 서버 업체의 물량 공급 요구가 급증하고 있기 때문이다. 작년 9월 50나노 2Gb DDR3 D램 제품을 양산한 삼성은 작년 초 30% 초반 대에 머물던 서버 시장 공급 점유율을 최근 60% 이상 끌어올렸다.
특히 대형 서버 업체들이 올해 들어 저전력 서버의 성능을 개선하는 40나노 2기가 DDR3 D램으로 제품 전환을 서두르고 있어 삼성의 40나노급 DDR3 D램 수요가 급격히 증가하고 있다. 40 나노급 DDR3 D램은 1.35V에서 작동, 기존 50나노 제품 대비 소비전력을 40% 정도 줄인다.
삼성전자 관계자는 “기존 50 나노 D램 대비 성능과 친환경 솔루션을 더욱 강화한 40나노 D램을 증산, 후발주자와의 격차를 더욱 확대할 계획”이라고 말했다. 또 “40나노 DDR3 D램 제품 생산성을 50나노 대비 50% 이상 향상하고 특히 공정 단순화로 양산성을 높였을 뿐만 아니라 생산 기간 단축으로 제조 경쟁력을 확보했다”고 덧붙였다.
삼성전자는 차세대 대용량·고성능 제품으로 차별화 시장을 지속저으로 확대하기 위해 서버 시장과 데스크톱 PC 및 노트북 PC에서 16Gb에서 4Gb급 이상 대용량 메모리의 채택을 확대, 기술 리더십을 더욱 강화할 예정이다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr