하이닉스, 44나노 2Gb DDR3 D램 인텔 인증

하이닉스, 44나노 2Gb DDR3 D램 인텔 인증

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 이달부터 양산을 시작한 44나노 2Gb DDR3 D램이 인텔 인증을 받았다고 20일 밝혔다. DDR3 D램 단품 외에도 노트북용 4GB 모듈과 데스크탑용 2GB 모듈도 같이 인증을 받았다고 덧붙였다.

이번 인증은 인텔 기반의 PC나 서버 등에서 D램이 정상적으로 동작하고 호환성을 갖는 지 테스트를 받는 것이다. 인증 제품에 대해서만 인텔의 기술지원을 받을 수 있기 때문에 테스트 통과는 주요 고객에게 안정된 제품을 공급할 수 있는 기반이 된다.

이달부터 양산 중인 D램은 44나노(nm) 미세공정 기술이 적용돼 기존 50나노급 제품 대비 생산성을 60% 정도 높였고 1.5V 또는 1.35V 저전압과 1333Mbps의 데이터 전송 속도를 구현한 것이 특징이다. 또 최대 1867Mbps의 데이터 전송 속도로 16개의 정보 입출구(I/O)를 통해 영화 2~3편에 해당되는 초당 3.7GB의 데이터를 처리할 수 있다.

하이닉스는 수요 확대에 따라 내년 연말까지 전체 D램 생산량의 70%를 DDR3로 채울 예정이다. DDR3 제품 중에서는 2Gb 제품을 약 40%가량 생산할 계획이다. 하이닉스 마케팅본부 김지범 전무는 “향후 서버와 같은 고성능 제품에는 2Gb 제품으로 대응하고 PC를 중심으로는 1Gb 제품을 공급하는 등 차별화된 마케팅 전략을 펼치겠다”고 말했다.

윤건일기자 benyun@etnews.co.kr