권오현 삼성전자 반도체부문 사장은 “오는 2015년께 현 D램 메모리 공정기술이 한계에 봉착할 것”이라고 말했다.
권 사장은 26일 한양대에서 열린 차세대 메모리 공동연구센터 개소식에서 이같이 말하고 “차세대 메모리 개발을 위한 원천 기술 확보가 필요한 시점”이라고 강조했다.
그는 “우리나라가 지난 1993년 이후 메모리 시장에서 세계 1등을 차지해왔지만 최근 일본이 빼앗긴 반도체 패권을 찾기 위해 정부 지원 하에 차세대 메모리 개발에 먼저 착수했다”며 “이런 상황에서 우리나라가 앞으로도 세계 메모리 시장을 제패하기 위해서는 새로운 메모리 기술을 보유해야 한다”고 역설했다.
최근 수년 사이 메모리 집적 기술은 빠른 속도로 발전해왔다. 낸드 플래시와 함께 대표적 메모리로 꼽히는 D램은 지난해까지 주력 제품은 미세회로 선폭이 60나노였다. 올해는 50나노로 발전했으며 내년에는 40나노가 주력이 될 것으로 예상된다.
미세회로 기술이 발전할수록 메모리 집적도와 성능이 함께 향상된다. 전문가들은 30나노급이 현 기술의 마지막 한계로 보고 있다. 20나노급으로 진입하기 위해 기존과 전혀 다른 기술 개발이 필요한 상황이다.
권 사장은 “우리가 일본보다 2년 정도 늦었지만 차세대 메모리 핵심분야로 떠오른 STT-MRAM 기술 개발을 위해 정부와 업계 그리고 학계가 힘을 합쳐 뛰어든 것은 시의적절하다. 차세대 기술 확보로 세계적인 경쟁력을 이어가길 희망한다”고 덧붙였다.
윤건일기자 benyun@etnews.co.kr