삼성전자가 기존 제품보다 읽기 속도를 3배 이상 높인 32기가비트(Gb) 낸드 플래시를 개발했다. 이와 함께 저장 용량이 3배 늘어난 32Gb 3비트(bit) 낸드플래시 개발에도 성공했다.
삼성전자(대표 이윤우)는 업계 최초로 30나노급 32Gb 고속 낸드 플래시를 개발하고 지난달 말부터 양산을 시작했다고 1일 밝혔다. 멀티레벨셀(MLC)인 이 제품은 삼성의 독자적인 저전력 비동기 더블데이터레이트(DDR) 인터페이스 기술을 적용한 것이 특징이다.
소비 전력량을 증가시키지 않으면서 기존 싱글데이터레이트(SDR) 제품보다 읽기 속도를 3배 이상 빠르게 구현했다. 데이터 읽는 속도가 향상돼 메모리 카드, SSD 등 프리미엄 상품을 만드는 데 적합하다.
삼성전자는 또 32Gb 3비트 MLC 낸드 플래시도 양산에 들어갔다. 3비트 낸드 플래시는 전하를 정밀하게 제어해 하나의 셀에 3비트 단위의 데이터를 저장할 수 있도록 했다. 이를 통해 같은 칩 면적에서 1비트 데이터를 저장하는 싱글레벨셀(SLC)보다 저장 용량을 3배 늘렸다. 이 제품 역시 대용량 메모리 카드나 휴대폰용 메모리 카드를 중심으로 적용할 예정이다.
조수인 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “올해 초 30나노급 32Gb 낸드 플래시 양산에 이어 이번에 더 빠른 성능과 고효율의 32Gb 낸드 제품군을 선보임으로써 다양한 고성능 모바일 수요를 충족할 수 있게 됐다”며 “앞으로 20나노급 차세대 제품군에서도 고속 낸드 플래시 및 3비트 낸드 플래시를 개발할 계획”이라고 밝혔다.
시장 조사 업체인 가트너에 따르면 세계 낸드 플래시 시장은 올해 138억달러에서 오는 2012년에는 236억달러로 급성장이 예상되는 유망 반도체 시장이다.
윤건일기자 benyun@etnews.co.kr