국내 연구진이 32Gb급 대용량 데이터를 기존보다 10배 이상 빠르게 처리할 수 있는 NOR 플래시 메모리 원천기술을 최초로 개발했다.
박병국 서울대 교수팀은 20일 테라급 나노소자개발사업단(단장 이조원)의 지원을 받아 NOR 플래시 메모리의 단점인 집적도와 용량, 정보기록 효율성을 높인 ‘원뿔구조의 NOR 플래시 소자’ 개발에 성공했다고 밝혔다.
연구팀은 새로운 원뿔 형태의 구조를 통해 효율성과 집적도, 용량을 NAND 플래시 수준에 근접시킨 고속의 NOR 플래시를 개발했다. 기존의 평면형 구조가 가지지 못했던 전류·전계 집중 효과를 극대화 해 저효율 문제를 극복, 정보 기록 속도를 10배 이상 개선하고 배선 구조를 간소화 해 크기도 줄였다.
D램과는 달리 전원이 꺼진 상태에서도 정보 저장이 가능한 플래시 메모리는 회로 형태에 따라 NOR형과 NAND형으로 구분되는데, NOR 플래시 메모리는 처리속도가 빨라 휴대폰 기기에 주로 쓰이고 있다. 하지만 기존의 평면형 NOR 플래시 메모리의 비효율성과 낮은 집적도, 저용량 등의 단점으로 성능의 한계에 부딪히고 있다는 지적이 제기돼 왔다. 특히 NOR 플래시 메모리의 가장 큰 수요 산업인 휴대폰 시장에 스마트폰이 주를 이루면서 느린 기록 속도와 최대 1Gb에 그치는 적은 용량이 점점 문제로 부각되고 있는 실정이다.
이번에 개발된 NOR 플래시 메모리 원천기술이 상용화되면 인텔·뉴모닉스 등 해외 기업들이 독차지하고 있는 NOR 플래시 시장을 우리가 리드할 수 있다는 전망이다. 현재 NOR 플래시 시장 규모는 연 60억달러대로, 삼성전자 등 국내 기업은 소규모로 생산하는 데 그치고 있다.
박병국 교수는 “원뿔형 구조의 NOR 플래시 메모리가 휴대폰에 쓰이게 되면 지금보다 훨씬 많은 기능을 담은 스마트폰을 만들 수 있다”며 “해외 기업을 제치고 우리가 시장을 이끌 수 있는 발판이 될 기술”이라고 평가했다.
연구팀은 향후 공정을 효율화해 제조단가를 낮추고 안정성을 강화하기 위한 연구·개발을 지속해 나갈 계획이다.
황태호기자 thhwang@etnews.co.kr