삼성전자가 차세대 반도체 소자 공정에 중수소(듀테륨)를 활용할 수 있는 기술을 연구한다고 외신들이 전했다.
28일 외신에 따르면 삼성전자는 최근 미국 일리노이 어바나대학과 반도체 제조 공정에 듀테륨을 활용할 수 있는 기술특허 계약을 체결했다.
이 특허 기술은 고밀도·고집적 소자의 가장 큰 기술적 문제로 꼽히는 ‘핫-캐리어(고온반송자) 효과’를 해결할 수 있는 것이라고 대학 측은 설명했다. 고온반송자 효과는 회로의 집적도가 높아지면서 발생하는 대표적인 단채널 효과 중 하나로 회로의 오작동과 수명 저하 등을 야기시킨다.
삼성전자는 이번 계약으로 일리노이 어바나대학이 보유한 특허 기술을 특허권 유효기간 동안 사용할 수 있게 됐다. 일리노이어바나대학은 반도체 소자 공정에서 듀테륨 사용 기술에 관한 특허를 미국 내에서 5건, 한국에서도 1건을 각각 보유 중이다.
서한기자 hseo@etnews.co.kr