삼성전자가 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 최근 개발하고 올 하반기부터 양산에 들어간다고 1일 밝혔다.
40나노급에서 경쟁사에 비해 6개월 이상 격차를 유지했던 삼성전자는 이번 제품 개발로 1년 가까이 격차를 확대할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
삼성전자가 이번에 개발한 30나노급 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년만에 차세대 공정을 적용해 개발에 성공했다. 그 동안 업계에서는 D램의 셀 구조상 현재의 생산 공정에서는 40나노급 D램이 한계로 여겨왔다.
삼성전자는 지난해 12월 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난 1월 중순 평가까지 완료했다. 30나노급 D램은 지난해 40나노급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있고, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다. 또 30나노급 D램은 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며, 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다. 데이터 처리 속도는 서버용 제품의 경우 동작전압 1.35V에서 1.6Gbps(초당 1.6기가비트)를 지원하며 PC 솔루션으로는 1.5V 전압에서 1.866Gbps까지 낼 수 있는 등 DDR 최고 속도를 구현했다.
삼성전자 이번 제품 개발로 서버에서부터 노트북까지 전력을 절감할 수 있는 ‘그린 메모리’ 전략을 강화해 나가겠다는 포부다.
조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 “삼성전자가 지난해 40나노 2Gb DDR3 제품을 개발한 데 이어, 이번에 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상, 한 걸음 더 벌려 놓았다”며, “이번 제품을 발판으로 시장 점유율을 지속적으로 확대해 나갈 계획”이라고 밝혔다. 한편 하이닉스와 엘피다는 각각 지난해 11월, 12월 40나노급 양산에 들어갔으며 30나노급 개발은 아직 발표된 바 없다.
유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr