삼성전자(대표 최지성)가 세계 최초로 40나노 공정을 적용한 4Gb(기가비트) DDR3(Double Date Rate 3) D램 양산에 들어갔다고 24일 밝혔다.
4Gb 용량 DDR3 제품 양산과 40나노 공정 적용이 모두 세계 최초 사례다.
삼성전자는 50∼60나노급 생산이 주력인 타 경쟁사에 비해 미세공정에서 한발 앞서가게 돼 매출과 순익측면에서 앞서갈 수 있는 기반을 마련한 것으로 평가된다.
삼성전자는 지난해 1월 50 나노급 공정을 이용해 세계 최초로 4Gb DDR3 D램을 개발했으나 양산에는 40나노급 최신 공정을 적용했다.
삼성전자는 이번에 양산에 들어가는 4Gb DDR3 D램으로 △ 서버용 32GB(기가바이트), 16GB 모듈과 △ 워크스테이션, 데스크 탑 PC용 8GB 모듈, △ 노트북 PC용 8GB 모듈 등 기존 대비 용량이 두 배인 대용량 메모리 모듈 제품을 공급할 예정이다.
4Gb 제품은 기존 동일 용량의 2Gb 메모리를 사용한 모듈 제품에 비해 소비 전력이 35% 가량 절감된다. 서버에서 총 96GB 용량의 D램 메모리를 사용할 경우, 60나노급 1Gb DDR2 D램을 사용한 모듈은 210W(와트)의 전력을 소비하는데 비해 40나노급 2Gb DDR3 D램은 55W로 약 75%를 절감할 수 있고, 40나노급 4Gb DDR3 D램은 36W에 불과하다. 60나노급 제품 대비 약 83%, 40나노급 2Gb DDR3 D램 대비 추가로 35%나 절감할 수 있어 데이터센터 소비 전력을 10% 가까이 절감할 수 있다고 삼성전자는 설명했다.
삼성전자 반도체사업부 메모리전략마케팅팀장 전동수 부사장은 “불과 7개월 만에 용량이 두 배인 4Gb DDR3 D램을 양산하게 돼 프리미엄급 PC, 노트북, 서버 등 대용량 메모리를 원하는 고객들의 요구를 맞출 수 있게 됐다”고 말했다.
삼성전자는 이번 4Gb DDR3 D램 양산과 함께 40나노급 DDR D램 비중을 적극적으로 확대해, 서버 및 PC 용으로 공급하는 D램 중 40나노급 제품의 비중을 상반기에 90% 이상까지 끌어올려 고객들에게 안정적인 공급 능력을 확보할 계획이다. 또 하반기부터는 30나노급 D램까지 양산, 원가 절감의 핵심인 미세공정에서 계속 앞서가겠다는 전략이다.
유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr