[온리 원 부품소재를 향해]LED/손철수 삼성LED 상무 "칩기술 격차 1년 이내로 좁혀졌다"

　<인터뷰> 손철수 삼성LED 상무

　

　“현재 미국·일본 등 선발 업체와 국내 업체들 간 발광다이오드(LED)칩 기술 격차는 양산시점 기준으로 1년 정도인 것으로 추정됩니다. 이 간극은 조금씩 좁혀지고 있습니다.”

　손철수 삼성LED 연구2팀장(상무)은 지난 1998년 삼성종합기술원 전문연구원으로 입사해 블루레이 플레이어에 주로 쓰이는 레이저다이오드(LD) 및 LED 에피·칩 공정 관련 선행개발을 담당해왔다. 지난 2009년 삼성LED 설립과 함께 연구소 칩 개발 리더를 역임했다. LED 칩 분야에서는 국내 손꼽히는 전문가 중의 한 명으로 평가받고 있다. 손 상무는 국내 LED 산업 초창기 5년 안팎이었던 선발 업체와의 기술 격차가 최근 1년 정도로 줄었다고 진단했다. 그는 “지난해까지 국내 업체들이 연구개발을 집중했던 TV용 LED 분야는 오히려 한국이 기술 트렌드를 주도하고 있다”며 “앞으로 높아진 역량을 고출력 LED 등 신제품 개발에도 집중할 것”이라고 말했다. 특히 선발 업체들이 시장을 점령하고 있는 고출력(1W 이상) LED 개발을 위해 △전압이 낮고 △결함이 적고 △열 배출능력을 높인 칩·패키지 개발에 역점을 두고 있다고 설명했다.

　최근 국가 차원에서 LED 산업을 육성하고 있는 중화권 업체들의 기술과는 아직 약간의 격차가 있다고 평가했다. 그는 “TV용 LED 시장에서 대만 업체들이 약진하고 있지만 아직 기술 수준에서 국내 업체 대비 열세에 있다”며 “가격을 무기로 시장을 공략하고 있는 만큼 국내에서도 원가를 절감할 수 있는 기술을 개발해야 한다”고 강조했다.

　국내 LED 업계의 중·단기 연구개발 초점으로는 광효율 개선에 무게를 둬야 한다고 조언했다. 손 상무는 “향후 5년 내에 LED 업계 광효율 평균은 1와트(W)당 200루멘(㏐) 내외까지 높아질 것”으로 예상하며 “개별 LED 광효율이 높아지면 램프 완제품 가격을 크게 낮춰 보급을 확대할 수 있을 것”으로 전망했다. 현재 상용화된 LED의 광효율 업계 평균은 100~120㏐/W다.

　최근 LED 업체들이 도입을 검토하고 있는 클러스터형 유기금속화학증착장비(MOCVD)는 증착 성능 개선이 필요하고 설명했다. 클러스터형 MOCVD는 여러 대의 MOCVD를 한 대처럼 이어 붙인 장비로 LED칩 생산성을 획기적으로 높여주는 것으로 알려져 있다. 기존 반도체 장비 업체는 물론이고 MOCVD 전문 회사들까지 클러스터형 MOCVD 개발에 나서고 있는 이유다. 손 상무는 “웨이퍼가 여러 개 체임버를 이동하면서 공정을 진행하는 기술은 원가를 절감할 수 있기 때문에 반도체 업계에서는 일반화돼 있다”면서도 “아직 완성된 칩 성능 면에서는 개선 여지가 있다”고 강조했다.

안석현기자 ahngija@etnews.co.kr