전량 수입에 의존하던 초고주파 대역용 고전력·고효율 pHEMT(pseudomorphic high electron mobility transistor)를 국내 기업이 상용화했다. 초고주파 대역 트랜지스터는 미국과 유럽에서 널리 쓰여 수출 효과도 높다.
베렉스(대표 이남욱)는 셀룰러· PCS· LTE 등 국내외 무선 이동통신 장비용 RF MMIC를 상용화한 데 이어 3GHz 이상 초고주파 대역에서 사용 가능한 고성능 pHEMT 7종을 선보였다. 초고주파 pHEMT는 6GHz~18GHz의 광대역 분야뿐 아니라 수백MHz 또는 1~2GHz 협대역에도 적합하며 3GHz 이하의 RF 대역과 3GHz이상의 초고주파 대역에서 광범위하게 사용할 수 있다. 국내 시장은 크지 않지만 전량 수입에 의존해 상당 부분 수입을 대체할 수 있을 전망이다.
수출 전망도 밝다. 이미 유럽은 6000만 달러, 미국은 1000만 달러 규모의 초고주파 시장이 있다. 이제까지는 미국과 일본업체가 시장을 주도했지만, 우수한 성능의 베렉스 pHEMT 7종이 시판되면 한국산 무선 이동통신용 반도체 부품 수출이라는 새로운 전기를 마련할 것으로 보인다.
베렉스 pHEMT 7종은 모두 동일한 0.25um의 미세한 게이트 길이를 가지며, 200~2400um의 게이트 폭을 갖도록 설계되었다. 게이트 폭에 따라 0.2~2.5W의 출력 전력을 갖고, 60% 이상의 높은 전력부가 효율을 나타내는 등 기존 해외 제품에 비해 출력 전력이 우수한 것이 특징이다.
지난해부터 6개월 간 집중적인 투자와 개발이 이뤄졌고 최근 검증 작업을 모두 마쳤다. 우선 칩 형태로 시판하고 빠른 시일 내에 패키지 형태로 판매할 계획이다. 이남욱 베렉스 사장은 “미국과 일본이 독점하는 RF와 초고주파 대역에서 무선 이동통신 장비 부품 국산화 성과를 올렸다”고 말했다.
김시소기자 siso@etnews.com
