삼성전자가 하반기 메모리 투자를 당초 계획보다 더 늘린다. 올해 메모리 시황이 급속히 악화되면서 경쟁사들이 투자를 줄이고 있는 것과 대조적이다. 불황기에 투자해 내년 이후 경기 회복 시에 더욱 격차를 벌리겠다는 전략으로 풀이된다.
최지성 삼성전자 부회장은 25일 서울 팔래스 호텔에서 개최한 연구개발(R&D) 성과공유 투자 협약식 직후 기자들과 만나 “메모리 사업 투자는 지속적으로 해왔으며 하반기 추가 투자를 진행할 것”이라고 말했다.
삼성전자는 당초 올해 메모리 부문에 5조8000억원, 시스템LSI에 4조2000억원 투자 계획을 밝힌 바 있다. 업계에서는 하반기부터 메모리 시황이 회복될 것으로 예상했으나 당초 기대와 달리 PC 수요가 부진을 거듭하고 있다. 메모리 기업들이 투자를 줄이고 있으나 삼성전자는 내년 이후를 감안, 추가 투자를 통해 후발기업들과 더욱 격차를 벌이는 ‘초격차 전략’을 구사하겠다는 뜻으로 풀이된다.
시장조사기관인 IHS는 최근 올해 메모리 투자가 전년에 비해 30% 가까이 감소하는 데다가 미세공정 기술 전환이 더뎌 내년 하반기부터는 가격 하락속도가 줄어들 것으로 전망했다. 일부에서는 올해 투자 축소 여파로 내년에는 공급 부족 현상까지 발생할 것으로 내다보고 있다.
삼성전자는 추가 투자를 통해 D램의 30나노 및 20나노 공정 전환속도를 높이고 낸드플래시는 20나노급 공정 전환을 가속화할 것으로 전망된다.
최 부회장은 최근 불거진 에이서의 전 CEO 지안프랑코 란치 영입설에 대해서는 “전혀 사실이 아니다”라고 말했다.
배옥진기자 withok@etnews.com