나노소자특화팹센터(원장 고철기)와 차세대융합기술연구원(원장 최양희)이 가격을 획기적으로 낮출 수 있는 차세대 반도체 ‘GaN on Si’ 기반기술을 공동개발한다.
양 기관은 이를 위해 4일 오후 나노소자특화팹센터에서 공동기술 개발을 위한 양해각서(MOU)를 교환했다.
‘GaN on Si’는 실리콘웨이퍼에 갈륨나이트라이드(GaN) 단결정막을 성장시키는 기술이다. LED칩이나 고출력 전자소자 제조에 이 기술을 활용하면 기존 사파이어나 실리콘 기판과 비교해 월등한 가격 경쟁력을 확보할 수 있게 된다. 하지만 고품위 GaN 단결정막 성장이 어려워 미국·독일·일본 등에서도 기술선점을 위해 많은 연구개발을 진행 중이다.
양 기관은 이번 MOU 교환을 계기로 △유기기상화학증착장비 및 관련 연구시설 공동활용 △밀착 연구협력 △인력 및 정보교류를 통한 단기간의 고품위 GaN 단결정 성장조건 확보 등을 추진키로 했다.
이번에 공동개발하는 기술을 바탕으로 LED 및 전자소자를 공동 제작하는 산·학·연 공동연구과제 개발과 지원에도 나설 계획이다.
최양희 차세대융합기술연구원장은 “차세대 LED 및 전자소재 연구개발은 미래 혁신적인 사업”이라며 “이번 협력을 통해 기술선점 및 미래산업의 새로운 패러다임을 이끌어 국익 창출에 기여할 것”이라고 말했다.
김순기기자 soonkkim@etnews.com