일본의 내로라하는 IT 대기업 3곳이 차세대 저전력 반도체 개발에 손을 잡았다.
1일 요미우리신문에 따르면 히타치와 후지쯔, NEC 등 3개 업체가 기존 제품보다 소비 전력을 90% 줄일 수 있는 반도체 공동 개발에 나선다.
저전력 반도체의 핵심 기술은 회로기판의 배선 간격이다. 반도체 소형화와 절전 여부는 배선 간격이 좌우한다. 현재의 배선 간격은 1㎜ 정도가 한계이다. 3사는 광(光) 관련 기술을 활용해 배선 간격을 0.1㎜까지 줄인다는 계획이다. 3사는 상용화 시점을 2019년으로 잡았다.
차세대 반도체가 계획대로 나오면 데이터센터에서 운용 중인 서버의 소비전력을 약 30% 절감할 수 있다. 열 발생도 적기 때문에 공조 설비의 전력 절감도 가능하다. 스마트폰용 반도체에 이 기술을 적용하면 배터리 사용 시간도 2배 이상 늘어난다.
일본 전자업계는 광 관련 기술을 활용한 차세대반도체 개발이 삼성전자를 따라잡을 수 있는 열쇠라고 판단하는 분위기다. 일본 경제산업성은 차세대반도체 기술 개발에 10년간 300억엔(약 4400억원)을 지원할 방침이다.
장동준기자 djjang@etnews.com