관련 통계자료 다운로드 글로벌 D램 업체별 공정 전환 추이와 전망
하이닉스가 D램 미세공정 전환 속도를 높이고 있다. 지난 연말까지 38나노 전환 비중을 목표치인 40%를 초과 달성한 데 이어 올 상반기까지 절반까지 높여 삼성전자와의 격차를 크게 줄일 계획이다.
12일 하이닉스 및 관련업계에 따르면 지난해 2분기부터 양산에 들어간 38나노 생산 비중이 지난 연말 40%를 초과해 최근에는 40%대 중반까지 도달한 것으로 확인됐다. 하이닉스는 지난해 2분기까지 공정 전환에 어려움을 겪으면서 전체 D램 생산에서 38나노 제품 생산비중이 한자리수에 그쳤었다. 현재 전환 속도라면 올 상반기에는 전체 D램 공정 중 50% 이상이 38나노로 바뀔 전망이다.
업계 한 관계자는 “지난해 초반까지 6F스퀘어 등 신기술 적용 등으로 하이닉스가 공정전환에 어려움을 겪었으나 3분기부터 안정화되면서 하반기에는 빠른 속도로 공정전환이 이루어지고 있다”고 말했다. 하이닉스는 최근 28나노 개발도 사실상 완료한 것으로 알려져 상반기 중에는 삼성전자에 이어 두 번째로 20나노대 D램 양산에도 돌입할 계획이다.
권오철 하이닉스 사장은 최근 “38나노 출발은 다소 늦었으나 역대 최대 속도로 램프업과 고수율 달성에 성공했다”고 밝힌 바 있다.
글로벌 D램 반도체 업체 중에서 30나노급 비중이 가장 높은 기업은 삼성전자로 지난해에 35나노 비중이 50%대를 넘어섰다. 이외에 일본 엘피다와 대만 렉스칩이 지난해 3분기부터 30나노를 시작했으나 아직까지 비중은 높지 않다. 미국 마이크론은 작년 4분기부터 30나노 개발에 들어갔다. 반면, 대만 파워칩·난야·이노테라 등은 올해부터 진입할 예정이었으나 자금 부족과 감산 등으로 어려움을 겪고 있어 빠른 전환은 어려운 것으로 관측된다.
관련 업계는 하이닉스의 미세공정 전환 확대로 D램 출하량 확대와 생산 원가가 크게 줄었을 것으로 추산했다. 하이투자증권 송명섭 애널리스트는 “38나노 전환 확대로 D램 출하량이 크게 늘어나 지난해 3분기 대비 4분기 출하량 증가율이 21.2%에 달할 것으로 예상된다”며 “38나노는 이전 단계인 44나노에 비해 원가를 70% 줄일 수 있어 하이닉스 D램 생산 원가가 크게 낮춰졌을 것”이라고 말했다.
업계 관계자는 “D램 부분의 미세공정 전환은 삼성전자가 독보적으로 앞서있지만 하이닉스가 20나노급 양산에 들어간 이후에는 가속도가 붙어 올 하반기에는 기술격차가 6개월 정도로 좁혀질 것”이라고 예측했다.
서동규기자 dkseo@etnews.com