하이닉스반도체가 2분기 연속 적자를 기록했지만 3년 연속 연간 흑자 달성에 성공했다.
하이닉스는 지난해 4분기 미세공정화 가속으로 전분기 대비 실적이 크게 개선된 반면 미국·일본·대만 경쟁기업들은 같은 시기에 매출 감소와 영업이익률이 더 악화되면서 어려움을 겪었다. 올해 하이닉스는 투자를 지난해보다 20% 이상 늘리면서 공격 경영에 나서지만 경쟁기업들은 큰 폭으로 축소할 계획이어서 간극이 더 크게 벌어질 전망이다.
하이닉스반도체는 2일 지난해 4분기 매출이 2조5530억원, 영업손실 1670억원을 기록했다고 밝혔다. 매출은 전분기 대비 11% 증가했고 영업손실은 전 분기(2770억원)보다 큰폭으로 개선됐다.
반면 메모리 반도체 업계 3위인 미국 마이크론은 같은 기간 동안 8200만달러(약 922억원) 적자를 기록, 전 분기에 비해 적자 폭이 늘어났다. 4위 업체인 일본 엘피다, 대만 난야와 이노테라 등은 같은 기간 동안 전 분기에 비해 매출이 감소하고 영업적자율은 더 악화됐다. 대만 기업들은 8분기 연속 적자를 기록했다.
하이닉스는 지난해 연간 10조3960억원의 매출과 3250억원의 영업이익, 560억원의 순손실을 기록했다.
하이닉스가 선전한 이유는 상반기 더디게 진행됐던 D램 미세공정화가 하반기에 빠르게 개선됐기 때문이다. 30나노급 D램 비중은 지난 연말 목표치를 초과한 40% 중반으로 확대했다. 출하량은 D램 30%, 낸드플래시 24% 증가해 매출과 수익성 개선에 영향을 미친 것으로 나타났다.
반면 마이크론이 소폭 흑자를 기록한 것을 제외하고 일본 엘피다와 대만 난야·이노테라 모두 큰폭의 연간 적자를 기록했다. SK텔레콤으로 지배구조가 바뀌는 하이닉스는 올해 공격적인 투자를 단행, 지배력을 더 넓힐 계획이다.
하이닉스는 올해 전년 대비 20% 늘린 4조2000억원을 투자한다. 이중 2조 2000억원을 낸드플래시 사업에 투자한다. 하이닉스가 D램보다 낸드에 더 많이 투자하는 것은 올해가 처음이다. 낸드플래시 생산량을 현재 13만장에서 연말까지 17만장으로 늘리고 이번 분기부터 20나노 낸드플래시를 양산한다. 연말까지 20나노급 비중을 D램은 40%, 낸드는 80%까지 끌어올릴 방침이다.
올해 실적과 관련해 권오철 하이닉스 사장은 “연간 적자 전환은 없도록 할 것”이라며 “올해 중반기부터 터닝포인트가 있을 것으로 기대되며 이때 분기흑자로 돌아설 것으로 희망한다”고 밝혔다.
증권가에서는 대략 9200억원 규모의 영업이익을 예상하고 있다.
서동규기자 dkseo@etnews.com
하이닉스반도체 2011년 연간 경영실적 비교표 (단위:십억원)
하이닉스반도체 2011년 4분기 경영실적 비교표 (단위:십억원)
(자료:하이닉스반도체)