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정부가 태양광 분야의 투자 효율화를 위해 결정질 실리콘에 대한 지원을 줄이고 박막 분야 투자 비중을 확대한다.
국가과학기술위원회는 6일 세종대 광개토관 컨벤션홀에서 `태양광 R&D(연구개발) 한마당`을 개최하고 이같은 내용의 태양광 투자 방안을 발표한다.
정부는 그동안 투자가 많이 이뤄진 1세대 결정질 실리콘 분야 투자는 점차 축소키로 했다. 반면 미래 태양광 시장을 선도하는 차세대 유망 기술 CIGS(구리·인듐·갈륨·세레늄), 염료감응 등 박막 분야에 대한 투자 비중을 확대할 예정이다.
전략 기술 분야 산·학·연 연구역량을 결집할 수 있도록 기술 분야별로 `(가칭) 태양광 R&D 허브기관`을 운영한다. 허브기관은 관련 산·학·연 연구기관과 네트워크를 구축해 연구 성과와 장비를 공유한다. 공용연구 촉진 역할도 담당한다.
중복투자 방지대책도 강화했다. 태양광 R&D 전체 과제의 성과를 온라인을 통해 공개, 유사 중복투자를 방지할 계획이다. 동시에 국과위 전문위원회에서 중복투자 여부를 집중 검토해 필요시 과감한 구조조정을 실시할 예정이다.
국과위는 “태양광은 신재생 에너지 기술 중 가장 유망한 분야”라며 “최근 경제침체로 태양광 산업의 불확실성이 증대돼 효율화된 투자전략이 필요하다”고 설명했다.
기술 분야별 투자비중(2010년, NTIS 기준)
자료:국가과학기술위원회
윤대원기자 yun1972@etnews.com