삼성전자가 오는 3분기부터 10나노미터(㎚)급 미세 공정을 낸드 플래시 생산 라인에 적용한다. 해외에서는 업계 2위 도시바가 19㎚ 공정에 성공한 바 있지만 삼성전자로선 10나노 공정 진입이 처음이다.
21일 업계에 따르면 삼성전자는 오는 3분기 국내 사업장을 시작으로 19나노 미세 공정 기술을 낸드 플래시 양산 라인에 적용할 계획이다. 삼성전자 관계자는 “낸드플래시 10㎚급 양산은 준비가 끝났다”라며 “D램은 기술적인 난이도가 상대적으로 낸드플래시보다 높아 아직 20㎚급에서 머물고 있다”고 밝혔다. 앞서 권오현 삼성전자 부회장은 지난달 `2012 삼성증권 글로벌 인베스터스 콘퍼런스`에서 “낸드는 지난해 20나노 초반대에서 올해 10나노 공정을 이용해 50%가량 생산성을 높일 것”이라고 밝힌 바 있다.
국내 메모리 반도체가 10나노대 공정을 양산 적용하는 것은 처음이다. 낸드플래시와 D램은 지난 2007년부터 꾸준히 공정 전환을 거듭해 왔으며 내년에는 14나노 공정까지도 구현할 수 있을 것으로 전망된다. 현재 업계 4위인 SK하이닉스는 낸드플래시에서 20㎚ 공정으로 삼성전자를 바짝 추격하고 있다. 업계 관계자는 “삼성전자의 미세공정 전환주기가 과거 2~3년에서 최근 1년까지 점점 빨라지고 있다”며 “경쟁사들이 추격하고 있지만 이 같은 전환 속도라면 삼성의 반도체 독식 시점이 예상보다 빨리 올 것”이라고 내다봤다. 또 다른 전문가는 “이제 몇 나노 미세 공정인지보다 수율과 넷다이(웨이퍼 1개당 다이의 갯수)가 핵심”이라며 “업체들이 이를 공개하지 않고 있어 기술의 정확한 진보 정도를 가늠하기는 어렵다”고 말했다.
정미나기자 mina@etnews.com