일본 로옴은 산업기기 인버터·컨버터용으로 내압 1200V의 2세대 실리콘 카바이드(SiC) 금속산화막반도체전계효과트랜지스터(MOSFET) `SCH208OKE`를 개발했다고 2일 밝혔다. 이 제품은 전력 손실이 적고 신뢰도가 높아 다양한 저전력·소형 기기에 적합하다.
또한 세계 최초로 SiC-쇼트리배리드다이오드(SBD)와 SiC-MOSFET를 하나의 패키지로 만드는 데도 성공했다. 내부 다이오드의 순방향 전압을 70% 이상 줄일 수 있다. 지난 달부터 시제품 출하를 시작했으며 이 달부터 순차적으로 양산한다.
현재 1200V급 인버터·컨버터에는 절연게이트양극성트랜지스터(IGBT)가 일반적으로 사용되고 있지만 전력 변환 손실이 큰 탓에 SiC-MOSFET가 대안으로 주목받아왔다.
로옴은 이번 제품 개발 과정에서 프로세스와 디바이스 구조를 개선, 본체 다이오드를 비롯해 신뢰성 과제를 극복하는데 성공했다고 전했다. 기존 제품보다 단위 면적당 저항을 약 30%까지 줄여 칩 크기를 최소화했다. 뿐만 아니라 독자적인 실장 기술을 사용해 외장 부품 없이 단일 패키지 제품으로 만들어냈다.
정미나기자 mina@etnews.com