KERI, 국내 처음 1200V급 SiC 전력반도체 개발

국내 연구진이 세계 세번째로 1200V급 SiC(탄화규소) 전력반도체 개발에 성공했다.

한국전기연구원(KERI, 원장 김호용)은 전력반도체 전문기업 메이플세미컨덕터(대표 정은식)와 공동으로 1200V급 SiC 전력소자(파워 MOSFET) 2종을 국내 처음으로 개발했다고 23일 밝혔다.

KERI와 메이플세미컨덕터가 개발한 SiC 전력반도체 칩과 소자
KERI와 메이플세미컨덕터가 개발한 SiC 전력반도체 칩과 소자

SiC 전력반도체는 실리콘 전력반도체보다 효율이 높고 고온에서 안정적으로 작동해 그린카와 신재생에너지용 인버터에 유용하다. 하지만 일부 국가와 기업만이 최근 이 기술을 상용화할 정도로 설계 및 공정이 매우 난해한 것으로 알려져 있다.

KERI는 SiC 전력반도체 핵심기술인 고온 이온주입 공정과 낮은 접촉저항형성 공정, 고품질 질화처리 게이트 산화막 형성 공정 개발을 주도했다.

메이플세미컨덕터는 이 공정에 전력반도체 양산 경험과 상용화 기술을 접목했다.

연구진은 공정 최적화 및 신뢰성 검증을 거쳐 내년 양산에 들어갈 계획이다.

김상철 KERI 전력반도체센터 책임연구원은 “선진국이 기술이전을 꺼리는 전략 분야에서 순수 국내기술로 미국, 일본에 이어 세계 세번째로 상용화에 성공했다”고 말했다.

창원=임동식기자 dslim@etnews.com