ST마이크로일렉트로닉스는 1200V급 절연게이트양극트랜지스터(IGBT) 신제품 ‘H시리즈’를 출시했다고 2일 밝혔다.
H시리즈는 2세대 TGFS(Trench-Gate Field-Stop High-Speed) 기술을 탑재, 이전 세대 제품에 비해 에너지 효율성을 높인 것이 특징이다. 기존 제품군 대비 15~30%까지 전력 손실을 낮출 수 있다. 20㎑ 이상의 스위칭 주파수에서도 전력 손실을 최소화해 보다 효율적인 구동 환경을 구현한다.
H시리즈는 태양열 인버터, 용접기, 무정전 전원장치(UPS), 역률 교정 컨버터(PFC) 등 다양한 애플리케이션에 활용 가능하다. SOA(Safe Operation Area)가 넓기 때문에 고전력이 요구되는 애플리케이션에 대한 안정성이 높다.
ST는 H시리즈를 1, 25, 40암페어(A) 세 가지 종류로 양산하고 있다.
이호준기자 newlevel@etnews.com
