ETRI의 반도체 소자인 질화갈륨(GaN) RF 전력증폭기 기술과 GaN 전력반도체 기술이 해외업체로부터 상종가를 치고 있다.
한국전자통신연구원(ETRI, 원장 김흥남)은 최근 이탈리아 로마에서 열린 마이크로파학회 주최 전시회(EuMW)에서 자체 개발한 전력증폭기와 전력반도체 기술이 해외 RF 부품 및 시스템 업체로부터 러브콜을 잇따라 받았다고 21일 밝혔다.
ETRI에 따르면 세계적인 항공우주시스템 장비회사인 BAE시스템즈는 투자의향을 밝혀왔다. 또 중국 이동통신업체와 영국의 전력증폭기 제작업체로부터 기술이전 문의가 잇따랐다.
전력증폭기란 미약한 입력신호를 크게 증폭시켜 안테나로 보내 전파를 보내는 역할을 한다. 고성능 레이더나 이동통신 기지국 및 단말기, 위성통신 등에 핵심적으로 쓰이고 있다.
GaN 전력반도체 또한 전기자동차나 에어컨, 냉장고 등의 일반가전제품, 태양광 기술에서 교류나 직류를 전력 변환하는 곳에 주로 많이 활용된다.
ETRI가 개발한 칩은 기존 반도체인 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 대신 질화갈륨(GaN)을 사용, 전력 밀도를 최대 10배, 증폭소자 교체주기는 16배, 전력 효율은 최대 30% 이상 우수한 게 특징이다.
김흥남 원장은 “이번 전시회 참가로 대한민국의 GaN 반도체 기술을 널리 알렸다는 데 큰 의미가 있다”며 “상용화 시기가 조만간 도래할 것”으로 기대했다.
대전=박희범기자 hbpark@etnews.com