올해 출시될 신형 스마트폰의 고사양화 경쟁이 가시화되면서 애플리케이션프로세서(AP)와 모바일 D램, 낸드플래시 등 차세대 반도체의 수요가 확대되고 있다. AP에서는 64비트(bit)가 프리미엄급 모델에 탑재되고, 모바일 D램과 낸드플래시에서도 각각 저전력(LP)DDR4와 유니버설플래시스토리지(UFS)가 새롭게 부상할 전망이다.
20일 업계에 따르면 삼성전자와 애플 등 주요 스마트폰 제조사는 올해 신제품의 스펙을 고급화하면서 프리미엄 경쟁에 나설 예정이다. 제품마다 일부 차이가 있지만 구동 속도를 높이고 저장 능력은 늘리는 데 초점을 맞춘다. 이에 발맞춰 차세대 제품으로 꼽혀온 주요 반도체의 수요 확대도 예고된 셈이다.
스마트폰용 AP는 갤럭시S6 등의 프리미엄 제품을 중심으로 32비트(bit)에서 64비트로 변화할 전망이다. 현재 안드로이드 진영 AP는 32비트 프로세서가 주력이지만 애플은 이미 64비트 AP를 채택했다. 향후 구글에서 64비트 운용체계(OS)를 지원하면서 하이엔드 스마트폰에서부터 64비트 AP 채용하고 그 추세는 확대될 것으로 전망된다.
현재 64비트 AP는 퀄컴과 삼성전자 정도만 확보하고 있다. 이세철 NH투자증권 애널리스트는 “퀄컴의 ‘스냅드래곤 810’은 일부 발열문제가 제기된 반면에 삼성전자는 ‘엑시노스 7420’을 내세워 차세대 AP시장에서 안정적인 점유율 확대가 가능할 것”으로 진단했다.
모바일 D램은 ‘LPDDR3’에서 ‘LPDDR4’로 이동이 예상된다. 올해까지는 LPDDR3 탑재 비중이 더 높겠지만 플래그십 스마트폰을 중심으로 차세대 LPDDR4 채택이 빠르게 늘어날 수 있다. LPDDR4의 구동속도는 3200Mbps로 LPDDR3보다 두 배 빠르다. 사용 전압도 10% 가까이 줄일 수 있는 게 장점이다.
차세대 D램 제품으로 갈수록 미세공정 전환은 필수다. 업계는 미세공정에 유리한 삼성전자, SK하이닉스의 상대적 수혜를 점치고 있다. 미국 마이크론은 25나노를 건너뛰고 20나노 공정을 진행 중이지만 엘피다 공정을 사용하고 있어 공정전환이 원활하지 않다는 분석이 나온다.
낸드플래시도 ‘eMMC’에서 ‘UFS’로 전환이 예고됐다. UFS는 eMMC 대비 두 배 이상 빠른 인터페이스로 스마트폰 내 낸드플래시 고용량화에 기여한다. UFS는 빠른 속도의 솔리드스테이트드라이브(SSD)와 저전력 임베디드멀티미디어카드(eMMC)를 결합한 새로운 저장장치다. eMMC보다 최대 세 배 빠른 1.2기가바이트(GB) 속도를 낸다.
스마트폰 내 낸드플래시 고용량화가 전망됨에 따라 트리플레벨셀(TLC) 기술 적용이 확대될 전망이다.
업계는 삼성전자가 이미 낸드 제품 가운데 약 70%를 TLC로 보유하고 있어 경쟁력을 더 높일 수 있을 것으로 기대했다. SK하이닉스도 상반기 중에는 TLC 기반의 제품 양산에 나설 전망이다.
김승규기자 seung@etnews.com